Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2963(TE85L,F)
RN2963(TE85L,F)

RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.98 грн
12+27.12 грн
100+15.37 грн
500+9.56 грн
1000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6, Part Status: Active, Supplier Device Package: US6, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Power - Max: 200mW.

Інші пропозиції RN2963(TE85L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN2963(TE85L,F) RN2963(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961 Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963(TE85L,F) RN2963(TE85L,F) Toshiba RN2963_datasheet_en_20191118-1608961.pdf Digital Transistors US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963(TE85L,F) RN2961_datasheet_en_20191118.pdf?did=18914&prodName=RN2961
RN2963(TE85L,F)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 200mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN2963(TE85L,F) RN2963_datasheet_en_20191118-1608961.pdf
RN2963(TE85L,F)
Виробник: Toshiba
Digital Transistors US6 PLN (LF) TRANSISTOR Pd 200mW F 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.