RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SM6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA.

Інші пропозиції RN4606(TE85L,F) за ціною від 5.08 грн до 22.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN4606(TE85L,F) RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.32 грн
23+13.19 грн
100+8.24 грн
500+5.73 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4606(TE85L,F) RN4606(TE85L,F) Toshiba RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606 Digital Transistors BRT PNP NPN 100mA -50V
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4606(TE85L,F) RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 6309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+22.32 грн
23+13.19 грн
100+8.24 грн
500+5.73 грн
1000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4606(TE85L,F) RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606
Виробник: Toshiba
Digital Transistors BRT PNP NPN 100mA -50V
на замовлення 3216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.