Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN4606(TE85L,F)
RN4606(TE85L,F)

RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.43 грн
18+ 16.26 грн
100+ 8.23 грн
500+ 6.3 грн
1000+ 4.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4606(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SM6, Part Status: Active.

Інші пропозиції RN4606(TE85L,F) за ціною від 3.12 грн до 26.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN4606(TE85L,F) RN4606(TE85L,F) Виробник : Toshiba RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606 Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT PNP NPN 100mA -50V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.66 грн
17+ 18.33 грн
100+ 6.64 грн
1000+ 4.85 грн
3000+ 3.92 грн
9000+ 3.32 грн
24000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
RN4606(TE85L,F) RN4606(TE85L,F) Виробник : Toshiba rn4606_datasheet_en_20191101.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin SM T/R
товар відсутній
RN4606(TE85L,F) RN4606(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN4606_datasheet_en_20191101.pdf?did=18932&prodName=RN4606 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SM6
Part Status: Active
товар відсутній