RN4607(TE85L,F) Toshiba
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.85 грн |
| 15+ | 22.96 грн |
| 100+ | 8.73 грн |
| 1000+ | 6.68 грн |
| 3000+ | 5.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4607(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SM6, Part Status: Active.
Інші пропозиції RN4607(TE85L,F) за ціною від 9.31 грн до 37.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN4607(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RN4607(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SM6 Part Status: Active |
товару немає в наявності |