RN4607(TE85L,F) Toshiba
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 30.52 грн |
| 15+ | 22.00 грн |
| 100+ | 8.37 грн |
| 1000+ | 6.40 грн |
| 3000+ | 5.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4607(TE85L,F) Toshiba
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6, Part Status: Active, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SM6.
Інші пропозиції RN4607(TE85L,F) за ціною від 9.28 грн до 37.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN4607(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6Part Status: Active Supplier Device Package: SM6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 300mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74, SOT-457 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|