RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 18.47 грн |
| 21+ | 14.68 грн |
| 100+ | 7.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A.
Інші пропозиції RN4901FE,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN4901FE,LF(CT | Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
на замовлення 11874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN4901FE,LF(CT |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)