Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN4904FE,LF(CT
RN4904FE,LF(CT

RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN4904FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19025&prodName=RN4904FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції RN4904FE,LF(CT за ціною від 3.17 грн до 15.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN4904FE,LF(CT RN4904FE,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN4904FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19025&prodName=RN4904FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+15.92 грн
33+9.50 грн
100+5.92 грн
500+4.06 грн
1000+3.58 грн
2000+3.17 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN4904FE,LF(CT RN4904FE,LF(CT Виробник : Toshiba RN4904FE_datasheet_en_20140301-1139961.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.