RN4905FE,LF(CT

RN4905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN4905FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19136&prodName=RN4905FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: ES6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO).

Інші пропозиції RN4905FE,LF(CT за ціною від 2.32 грн до 16.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN4905FE,LF(CT RN4905FE,LF(CT Виробник : Toshiba 0989DC4B3DAE5A224573D0F714DBA50C4A79DBE881FBA412D578CEE138E677F5.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 6286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.25 грн
34+9.70 грн
100+5.20 грн
500+3.80 грн
1000+3.38 грн
2000+3.02 грн
4000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
RN4905FE,LF(CT RN4905FE,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN4905FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19136&prodName=RN4905FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.61 грн
32+9.75 грн
100+6.07 грн
500+4.18 грн
1000+3.68 грн
2000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.