RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.32 грн |
| 6000+ | 2.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6, Supplier Device Package: US6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN4907,LF за ціною від 2.67 грн до 19.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN4907,LF | Виробник : Toshiba |
Digital Transistors US6-PLN |
на замовлення 7133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RN4907,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6 Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: US6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 200mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|