RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.16 грн |
| 32+ | 9.34 грн |
| 100+ | 5.78 грн |
| 500+ | 3.97 грн |
| 1000+ | 3.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.
Інші пропозиції RN4907FE,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN4907FE,LF(CT | Toshiba |
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor |
на замовлення 3988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN4907FE,LF(CT |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)