Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN4907FE,LF(CT
RN4907FE,LF(CT

RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN4907FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19029&prodName=RN4907FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.26 грн
32+10.13 грн
100+6.31 грн
500+4.34 грн
1000+3.82 грн
2000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: ES6, Part Status: Active.

Інші пропозиції RN4907FE,LF(CT за ціною від 2.74 грн до 17.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN4907FE,LF(CT RN4907FE,LF(CT Виробник : Toshiba 799C6EDF1018DC66CBCDFA888DD9915FEBF4A00FD7E7813853C0658AB08A7C82.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.55 грн
34+10.49 грн
100+5.62 грн
500+4.10 грн
1000+3.65 грн
2000+3.27 грн
4000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
RN4907FE,LF(CT RN4907FE,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19029&prodName=RN4907FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.