RN4909,LF(CT

RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN4909_datasheet_en_20210824.pdf?did=18965&prodName=RN4909
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції RN4909,LF(CT за ціною від 2.53 грн до 20.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN4909,LF(CT RN4909,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN4909_datasheet_en_20210824.pdf?did=18965&prodName=RN4909 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V US6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.61 грн
32+9.60 грн
100+5.94 грн
500+4.08 грн
1000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN4909,LF(CT RN4909,LF(CT Виробник : Toshiba RN4909_datasheet_en_20210824-1627371.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.68 грн
20+16.58 грн
100+7.67 грн
500+5.06 грн
1000+3.52 грн
3000+2.67 грн
9000+2.53 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.