RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.08 грн |
| 6000+ | 3.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A.
Інші пропозиції RN4909,LF(CT за ціною від 2.76 грн до 22.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN4909,LF(CT | Виробник : Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
на замовлення 8897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RN4909,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |