RN4910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN4910_datasheet_en_20210824.pdf?did=18967&prodName=RN4910
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Part Status: Active, Supplier Device Package: US6, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN4910,LXHF(CT за ціною від 18.47 грн до 18.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN4910,LXHF(CT RN4910,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4910_datasheet_en_20210824.pdf?did=18967&prodName=RN4910 Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910,LXHF(CT RN4910,LXHF(CT Toshiba RN4910_datasheet_en_20210824-1150332.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP + NPN , R1=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910,LXHF(CT RN4910_datasheet_en_20210824.pdf?did=18967&prodName=RN4910
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYM) PN
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: US6
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4910,LXHF(CT RN4910_datasheet_en_20210824-1150332.pdf
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-Sym) PNP + NPN , R1=4.7kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-363)
на замовлення 5999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.