RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.19 грн |
| 6000+ | 3.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A.
Інші пропозиції RN4911,LF(CT за ціною від 6.09 грн до 24.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN4911,LF(CT | Виробник : Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
на замовлення 8689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
RN4911,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |