RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.91 грн |
| 6000+ | 3.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A.
Інші пропозиції RN4911,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
RN4911,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
RN4911,LF(CT | Toshiba |
 Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A |
на замовлення 8689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN4911,LF(CT |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
Description: PNP + NPN BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RN4911,LF(CT |
|
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP + NPN BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 8689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)