RN4911FE,LXHF(CT

RN4911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN4911FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19039&prodName=RN4911FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+5.29 грн
8000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4911FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: ES6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RN4911FE,LXHF(CT за ціною від 4.41 грн до 30.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN4911FE,LXHF(CT RN4911FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN4911FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19039&prodName=RN4911FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz, 250MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.49 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RN4911FE,LXHF(CT RN4911FE,LXHF(CT Виробник : Toshiba RN4911FE_datasheet_en_20210818-1627219.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP + NPN Q1BSR=10kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+30.30 грн
16+22.08 грн
100+8.31 грн
1000+5.81 грн
4000+5.52 грн
8000+4.78 грн
24000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.