| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 11.49 грн |
| 44+ | 7.36 грн |
| 100+ | 2.95 грн |
| 1000+ | 2.32 грн |
| 4000+ | 2.04 грн |
| 8000+ | 1.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4983FE,LF(CT Toshiba
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: ES6, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms.
Інші пропозиції RN4983FE,LF(CT за ціною від 3.19 грн до 16.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN4983FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6Supplier Device Package: ES6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 100mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|