Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN4983FE,LF(CT
RN4983FE,LF(CT

RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.01 грн
25+ 11.52 грн
100+ 5.63 грн
500+ 4.4 грн
1000+ 3.06 грн
2000+ 2.65 грн
Мінімальне замовлення: 16
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції RN4983FE,LF(CT за ціною від 1.93 грн до 19.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN4983FE,LF(CT RN4983FE,LF(CT Виробник : Toshiba RN4983FE_datasheet_en_20210818-1151105.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 3870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.5 грн
22+ 14.09 грн
100+ 4.73 грн
1000+ 2.93 грн
4000+ 2.73 грн
8000+ 2.13 грн
24000+ 1.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN4983FE,LF(CT RN4983FE,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
товар відсутній