на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 12.02 грн |
| 44+ | 7.70 грн |
| 100+ | 3.09 грн |
| 1000+ | 2.43 грн |
| 4000+ | 2.13 грн |
| 8000+ | 1.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4983FE,LF(CT Toshiba
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: ES6.
Інші пропозиції RN4983FE,LF(CT за ціною від 2.93 грн до 19.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN4983FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RN4983FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: ES6 |
товару немає в наявності |