RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.16 грн |
| 32+ | 9.34 грн |
| 100+ | 5.78 грн |
| 500+ | 3.97 грн |
| 1000+ | 3.50 грн |
| 2000+ | 3.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: ES6, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms.
Інші пропозиції RN4983FE,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN4983FE,LF(CT | Toshiba |
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor |
на замовлення 3820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN4983FE,LF(CT |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)