RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN4983FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19045&prodName=RN4983FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.31 грн
32+9.42 грн
100+5.83 грн
500+4.01 грн
1000+3.53 грн
2000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 20 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4983FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V ES6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції RN4983FE,LF(CT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN4983FE,LF(CT RN4983FE,LF(CT Toshiba RN4983FE_datasheet_en_20210818-1151105.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4983FE,LF(CT RN4983FE_datasheet_en_20210818-1151105.pdf
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.