RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 3.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN4985FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.
Інші пропозиції RN4985FE,LF(CT за ціною від 3.07 грн до 21.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RN4985FE,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: NPN + PNP BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER |
на замовлення 6141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RN4985FE,LF(CT | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN + PNP BRT, Q1BSR=2.2kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=2.2kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
на замовлення 2879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|