Технічний опис RN4985FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563.
Інші пропозиції RN4985FE,LXHF(CT за ціною від 5.76 грн до 29.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RN4985FE,LXHF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K |
на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
RN4985FE,LXHF(CT | Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN4985FE,LXHF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
Description: AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2K
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 29.25 грн |
| 15+ | 20.83 грн |
| 100+ | 12.96 грн |
| 500+ | 8.32 грн |
| 1000+ | 6.40 грн |
| 2000+ | 5.76 грн |
| RN4985FE,LXHF(CT |
![]() |
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q TR NPN+PNP Q1BSR=2.2kOhm Q1BER=47kOhm Q2BSR=2.2kOhm Q2BER=47kOhm VCEO=50V IC=0.1A SOT563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




