RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


RN4988_datasheet_en_20210824.pdf?did=18987&prodName=RN4988
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: US6.

Інші пропозиції RN4988,LXHF(CT за ціною від 5.76 грн до 24.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN4988,LXHF(CT RN4988,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4988_datasheet_en_20210824.pdf?did=18987&prodName=RN4988 Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.63 грн
21+14.75 грн
100+9.29 грн
500+6.48 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988,LXHF(CT RN4988,LXHF(CT Toshiba 433CFD89827284E7B79B74A7A4C563948635D7AE2E7B8AE03CECAAC06593BB8B.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, 22kO, 47kO, 22kO, 47kO, 50V (SOT-363)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988,LXHF(CT RN4988_datasheet_en_20210824.pdf?did=18987&prodName=RN4988
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, Q1B
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.63 грн
21+14.75 грн
100+9.29 грн
500+6.48 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4988,LXHF(CT 433CFD89827284E7B79B74A7A4C563948635D7AE2E7B8AE03CECAAC06593BB8B.pdf
Виробник: Toshiba
Digital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN + PNP BRT, 22kO, 47kO, 22kO, 47kO, 50V (SOT-363)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.