Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN4991FE,LF(CT
RN4991FE,LF(CT

RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: ES6.

Інші пропозиції RN4991FE,LF(CT за ціною від 2.50 грн до 16.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN4991FE,LF(CT RN4991FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.16 грн
28+10.90 грн
100+5.31 грн
500+4.16 грн
1000+2.89 грн
2000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LF(CT RN4991FE,LF(CT Toshiba RN4991FE_datasheet_en_20210818-1627340.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN + PNP BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818.pdf?did=19063&prodName=RN4991FE
RN4991FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPN + PNP BRT Q1BSR10KOHM Q1BERI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: ES6
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.16 грн
28+10.90 грн
100+5.31 грн
500+4.16 грн
1000+2.89 грн
2000+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN4991FE,LF(CT RN4991FE_datasheet_en_20210818-1627340.pdf
RN4991FE,LF(CT
Виробник: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN + PNP BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
на замовлення 11998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.