RSR015P03TL Rohm Semiconductor


RSR015P03.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR015P03TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSR015P03TL за ціною від 18.05 грн до 64.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RSR015P03TL RSR015P03TL Rohm Semiconductor RSR015P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.79 грн
10+38.62 грн
50+28.39 грн
100+23.53 грн
500+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P03 TL ROHM SOT23
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P03TL RSR015P03.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 1.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.79 грн
10+38.62 грн
50+28.39 грн
100+23.53 грн
500+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RSR015P03 TL
Виробник: ROHM
SOT23
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.