RSR025P03TL

RSR025P03TL Rohm Semiconductor


RSR025P03.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 2650 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.40 грн
10+46.13 грн
100+30.12 грн
500+21.79 грн
1000+19.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RSR025P03TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V.

Інші пропозиції RSR025P03TL

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RSR025P03TL RSR025P03.pdf
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025P03 TL Виробник : ROHM SOD123
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025P03 TL Виробник : ROHM SOT23
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025P03TL RSR025P03TL Виробник : Rohm Semiconductor RSR025P03.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RSR025P03TL RSR025P03TL Виробник : ROHM Semiconductor rohm semiconductor_rohms32384-1.pdf MOSFETs P-CH 30V 2.5A TSMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.