
RSR025P03TL Rohm Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 76.40 грн |
10+ | 46.13 грн |
100+ | 30.12 грн |
500+ | 21.79 грн |
1000+ | 19.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RSR025P03TL Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-96, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Supplier Device Package: TSMT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RSR025P03TL
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
RSR025P03TL |
![]() |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
RSR025P03 TL | Виробник : ROHM | SOD123 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
RSR025P03 TL | Виробник : ROHM | SOT23 |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
RSR025P03TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
RSR025P03TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |