Технічний опис RU4B SANKEN
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A AXIAL, Packaging: Bulk, Package / Case: Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 400 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1.5A, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції RU4B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RU4B | Виробник : EIC Semiconductor |
 FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES |
товар відсутній |
|
| RU 4B | Виробник : Sanken Electric Co. |
Diode Switching 800V 3A 2-Pin |
товар відсутній |
||
 |
RU 4B | Виробник : Sanken Electric USA Inc. |
Description: DIODE GEN PURP 800V 1.5A AXIAL Packaging: Bulk Package / Case: Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 400 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.5A Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товар відсутній |