Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUM002N05T2L
RUM002N05T2L

RUM002N05T2L Rohm Semiconductor

datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 664000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.83 грн
16000+3.36 грн
24000+3.19 грн
40000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUM002N05T2L Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RUM002N05T2L за ціною від 2.81 грн до 29.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : ROHM rum002n05-e.pdf Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.72 грн
1000+5.78 грн
4000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 159501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1615+7.54 грн
2039+5.97 грн
2131+5.71 грн
8000+3.31 грн
16000+3.00 грн
32000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 1615
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1418+8.59 грн
1467+8.30 грн
2500+8.06 грн
5000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 1418
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 23984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1080+11.28 грн
1116+10.91 грн
2500+10.59 грн
5000+9.94 грн
10000+8.98 грн
Мінімальне замовлення: 1080
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : ROHM datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.90 грн
124+6.67 грн
250+6.42 грн
1000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : ROHM Semiconductor rum002n05_e-1873323.pdf MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN
на замовлення 141726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.26 грн
22+15.53 грн
100+5.58 грн
1000+3.45 грн
8000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 690717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.61 грн
22+14.45 грн
100+5.76 грн
500+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+24.70 грн
31+12.69 грн
50+8.42 грн
100+7.13 грн
239+3.85 грн
500+3.84 грн
657+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+29.64 грн
19+15.81 грн
50+10.11 грн
100+8.55 грн
239+4.61 грн
657+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L
Код товару: 104373
Додати до обраних Обраний товар

datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.