RUM002N05T2L Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 629008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 4.08 грн |
| 16000+ | 3.58 грн |
| 24000+ | 3.40 грн |
| 40000+ | 3.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RUM002N05T2L Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: VMT, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції RUM002N05T2L за ціною від 3.00 грн до 30.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RUM002N05T2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RUM002N05T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 159501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RUM002N05T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RUM002N05T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 23984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RUM002N05T2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
RUM002N05T2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN |
на замовлення 141726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RUM002N05T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 630212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
RUM002N05T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| RUM002N05T2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
RUM002N05T2L SMD N channel transistors |
на замовлення 8285 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
RUM002N05T2L Код товару: 104373
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|