Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RUM002N05T2L

RUM002N05T2L

datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Код товару: 104373
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RUM002N05T2L за ціною від 3.21 грн до 25.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+4.69 грн
16000+4.11 грн
24000+3.91 грн
40000+3.46 грн
56000+3.33 грн
80000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 159501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1615+8.76 грн
2039+6.94 грн
2131+6.64 грн
8000+3.85 грн
16000+3.49 грн
32000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 1615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1418+9.98 грн
1467+9.65 грн
2500+9.36 грн
5000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 1418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 23984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+13.11 грн
1116+12.68 грн
2500+12.30 грн
5000+11.55 грн
10000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 1080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.22 грн
27+15.92 грн
50+10.56 грн
100+8.79 грн
250+7.00 грн
500+5.99 грн
1000+5.20 грн
4000+4.14 грн
8000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 261343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.57 грн
20+15.07 грн
100+9.45 грн
500+6.57 грн
1000+5.83 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L ROHM Semiconductor rum002n05_e-1873323.pdf MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN
на замовлення 141726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L ROHM datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L ROHM rum002n05-e.pdf Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N05T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 256000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+4.69 грн
16000+4.11 грн
24000+3.91 грн
40000+3.46 грн
56000+3.33 грн
80000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L rum002n05-e.pdf
RUM002N05T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 159501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1615+8.76 грн
2039+6.94 грн
2131+6.64 грн
8000+3.85 грн
16000+3.49 грн
32000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 1615 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L rum002n05-e.pdf
RUM002N05T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1418+9.98 грн
1467+9.65 грн
2500+9.36 грн
5000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 1418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L rum002n05-e.pdf
RUM002N05T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 23984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1080+13.11 грн
1116+12.68 грн
2500+12.30 грн
5000+11.55 грн
10000+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 1080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N05T2L
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+23.22 грн
27+15.92 грн
50+10.56 грн
100+8.79 грн
250+7.00 грн
500+5.99 грн
1000+5.20 грн
4000+4.14 грн
8000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N05T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 261343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.57 грн
20+15.07 грн
100+9.45 грн
500+6.57 грн
1000+5.83 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L rum002n05_e-1873323.pdf
RUM002N05T2L
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN
на замовлення 141726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RUM002N05T2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L rum002n05-e.pdf
RUM002N05T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L rum002n05-e.pdf
RUM002N05T2L
Виробник: ROHM
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

100 MOhm 5% 0,1W 150V 0603 (HHR0603JR-100MR – Hitano)
Код товару: 112362
Додати до обраних Обраний товар
100 MOhm 5% 0,1W 150V 0603 (HHR0603JR-100MR – Hitano)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 МОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 4059 шт
  • 3909 шт - склад
  • 150 шт - РАДІОМАГ-Львів
КількістьЦіна без ПДВ
20+1.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1 GOhm 5% 0,25W 300V 0805 (HMR0805JR-1GR – Hitano)
Код товару: 112345
Додати до обраних Обраний товар
1 GOhm 5% 0,25W 300V 0805 (HMR0805JR-1GR – Hitano)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 GOhm
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,25 Вт
Uроб, В: 300 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 1696 шт
  • 262 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 509 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 460 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 465 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
на замовлення: 800 шт
  • 800 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+6.10 грн
100+5.00 грн
1000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138W
Код товару: 49988
Додати до обраних Обраний товар
ds30206-datasheet.pdf
BSS138W
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 94941 шт
  • 84812 шт - склад
  • 2522 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2018 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2887 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 2702 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна без ПДВ
6+3.50 грн
10+3.10 грн
100+2.70 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF
Код товару: 34344
9 Додати до обраних Обраний товар
irlml6401pbf-datasheet.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 12690 шт
  • 12590 шт - склад
  • 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 400 шт
  • 400 шт - очікується
на замовлення: 26 шт
  • 26 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+4.00 грн
10+3.60 грн
100+3.20 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
10nF 630V X7R 10% 1206 (GRM31BR72J103KW01L-Murata) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 26217
Додати до обраних Обраний товар
murata_grm_series-datasheet.pdf
10nF 630V X7R 10% 1206 (GRM31BR72J103KW01L-Murata) (конденсатори керамічні SMD)
Виробник: Murata
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 нФ
Номін.напруга: 630 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 3000 шт
  • 3000 шт - склад
КількістьЦіна без ПДВ
10+2.35 грн
100+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.