Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RUM002N05T2L
RUM002N05T2L

RUM002N05T2L

datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Код товару: 104373
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
очікується 16 шт:
16 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RUM002N05T2L за ціною від 2.77 грн до 30.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 629008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.63 грн
16000+3.19 грн
24000+3.03 грн
40000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : ROHM rum002n05-e.pdf Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.53 грн
1000+5.62 грн
4000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 159501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1615+7.96 грн
2039+6.30 грн
2131+6.03 грн
8000+3.49 грн
16000+3.17 грн
32000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 1615
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1418+9.06 грн
1467+8.76 грн
2500+8.51 грн
5000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 1418
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 23984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1080+11.91 грн
1116+11.52 грн
2500+11.18 грн
5000+10.49 грн
10000+9.48 грн
Мінімальне замовлення: 1080
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : ROHM datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+14.49 грн
124+6.48 грн
250+6.24 грн
1000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : ROHM Semiconductor rum002n05_e-1873323.pdf MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN
на замовлення 141726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.81 грн
22+14.52 грн
100+5.21 грн
1000+3.22 грн
8000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 630212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.15 грн
22+13.67 грн
100+5.72 грн
500+5.18 грн
1000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L RUM002N05T2L Виробник : Rohm Semiconductor rum002n05-e.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM002N05T2L Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RUM002N05&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RUM002N05T2L SMD N channel transistors
на замовлення 8285 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.58 грн
244+4.76 грн
669+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.