Інші пропозиції RUM002N05T2L за ціною від 2.99 грн до 25.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RUM002N05T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 504000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RUM002N05T2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RUM002N05T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 159501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RUM002N05T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RUM002N05T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 23984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RUM002N05T2L | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - RUM002N05T2L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 200 mA, 1.6 ohm, VMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: VMT Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2580 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RUM002N05T2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN |
на замовлення 141726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RUM002N05T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 506573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RUM002N05T2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 50V 0.2A 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| RUM002N05T2L | Виробник : Rohm |
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT-723 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 100 MOhm 5% 0,1W 150V 0603 (HHR0603JR-100MR – Hitano) Код товару: 112362
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 MOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 MOhm
Точність: ±5% J
Pном, W: 0,1 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0603
у наявності: 4129 шт
3979 шт - склад
150 шт - РАДІОМАГ-Львів
150 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 1 GOhm 5% 0,25W 300V 0805 (HMR0805JR-1GR – Hitano) Код товару: 112345
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 GOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,25 W
Uроб,V: 300 V
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 GOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,25 W
Uроб,V: 300 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 1816 шт
262 шт - РАДІОМАГ-Київ
509 шт - РАДІОМАГ-Львів
480 шт - РАДІОМАГ-Харків
565 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
509 шт - РАДІОМАГ-Львів
480 шт - РАДІОМАГ-Харків
565 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 6.10 грн |
| 100+ | 5.00 грн |
| 1000+ | 3.90 грн |
| BSS138W Код товару: 49988
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Uds,V: 50 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 95072 шт
85169 шт - склад
2256 шт - РАДІОМАГ-Київ
2038 шт - РАДІОМАГ-Львів
2887 шт - РАДІОМАГ-Харків
2722 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
2256 шт - РАДІОМАГ-Київ
2038 шт - РАДІОМАГ-Львів
2887 шт - РАДІОМАГ-Харків
2722 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |
| IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Uds,V: -12 V
Id,A: -4,3 A
Rds(on),Om: 0,05 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 830/10
Примітка : Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 14857 шт
14605 шт - склад
197 шт - РАДІОМАГ-Київ
55 шт - РАДІОМАГ-Харків
197 шт - РАДІОМАГ-Київ
55 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| 10nF 630V X7R 10% 1206 (GRM31BR72J103KW01L-Murata) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 26217
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Murata
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 630 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 630 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.35 грн |
| 100+ | 2.05 грн |








