Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції RUM002N05T2L за ціною від 3.15 грн до 25.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RUM002N05T2L | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 504000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
RUM002N05T2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 150mW; SOT723 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.15W Case: SOT723 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
на замовлення 8285 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
RUM002N05T2L | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V |
на замовлення 506573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
RUM002N05T2L | ROHM Semiconductor |
MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN |
на замовлення 141726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RUM002N05T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8000+ | 4.60 грн |
| 16000+ | 4.04 грн |
| 24000+ | 3.84 грн |
| 40000+ | 3.39 грн |
| 56000+ | 3.27 грн |
| 80000+ | 3.15 грн |
| RUM002N05T2L |
![]() |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 0.2A; Idm: 0.8A; 150mW; SOT723
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 8285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 23.22 грн |
| 27+ | 15.92 грн |
| 50+ | 10.56 грн |
| 100+ | 8.79 грн |
| 250+ | 7.00 грн |
| 500+ | 5.99 грн |
| 1000+ | 5.20 грн |
| 4000+ | 4.14 грн |
| 8000+ | 3.79 грн |
| RUM002N05T2L |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
на замовлення 506573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.57 грн |
| 21+ | 14.77 грн |
| 100+ | 9.28 грн |
| 500+ | 6.45 грн |
| 1000+ | 5.73 грн |
| 2000+ | 5.11 грн |
| RUM002N05T2L |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN
MOSFETs TRANS MOSFET NCH 50V 0.2A 3PIN
на замовлення 141726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
З цим товаром купують
| 100 MOhm 5% 0,1W 150V 0603 (HHR0603JR-100MR – Hitano) Код товару: 112362
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 МОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0603
SMD резистори > 0603
Номінал: 100 МОм
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,1 Вт
Uроб, В: 150 В
Типорозмір: 0603
у наявності: 4129 шт
- 3979 шт - склад
- 150 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 1 GOhm 5% 0,25W 300V 0805 (HMR0805JR-1GR – Hitano) Код товару: 112345
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 GOhm
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,25 Вт
Uроб, В: 300 В
Типорозмір: 0805
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 GOhm
Точність: ±5% J
Pном, Вт: 0,25 Вт
Uроб, В: 300 В
Типорозмір: 0805
у наявності: 1806 шт
- 262 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 509 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 470 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 565 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 6.10 грн |
| 100+ | 5.00 грн |
| 1000+ | 3.90 грн |
| BSS138W Код товару: 49988
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-323
Напруга сток-витік Uds, В: 50 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 50/
Монтаж: SMD
у наявності: 95046 шт
- 84917 шт - склад
- 2522 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 2018 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 2887 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 2702 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 3.50 грн |
| 10+ | 3.10 грн |
| 100+ | 2.70 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |
| IRLML6401TRPBF Код товару: 34344
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SOT-23
Напруга сток-витік Uds, В: -12 В
Струм стоку Id, А: -4,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,05 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / Заряд затвора Qg, nC: 830/10
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: SMD
у наявності: 13877 шт
- 13610 шт - склад
- 167 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 100 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| 10nF 630V X7R 10% 1206 (GRM31BR72J103KW01L-Murata) (конденсатори керамічні SMD) Код товару: 26217
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Murata
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 нФ
Номін.напруга: 630 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 10 нФ
Номін.напруга: 630 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
УКТЗЕД: 8532 24 00 00
у наявності: 3000 шт
- 3000 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.35 грн |
| 100+ | 2.05 грн |









