Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > RUM003N02T2L
RUM003N02T2L

RUM003N02T2L Rohm Semiconductor

RUM003N02.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.3A Automotive 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RUM003N02T2L Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: VMT3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RUM003N02T2L за ціною від 16.30 грн до 31.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RUM003N02T2L RUM003N02T2L Rohm Semiconductor RUM003N02.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: VMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.00 грн
13+23.95 грн
100+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM003N02T2L RUM003N02T2L ROHM Semiconductor rohm_RUM003N02-1201573.pdf MOSFET Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM003N02T2L RUM003N02.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM003N02 T2L ROHM SOT23/SOT323
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM003N02T2L RUM003N02.pdf
RUM003N02T2L
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: VMT3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 300mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+31.00 грн
13+23.95 грн
100+16.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUM003N02T2L rohm_RUM003N02-1201573.pdf
RUM003N02T2L
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM003N02T2L RUM003N02.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUM003N02 T2L
Виробник: ROHM
SOT23/SOT323
на замовлення 4094 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.