Продукція > S20 > S200-50

S200-50

Виробник:

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис S200-50

Description: RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX, Packaging: Bulk, Package / Case: 55HX, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 12dB ~ 14.5dB, Power - Max: 320W, Current - Collector (Ic) (Max): 30A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 110V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V, Frequency - Transition: 1.5MHz ~ 30MHz, Supplier Device Package: 55HX, Part Status: Obsolete.

Інші пропозиції S200-50

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	S200-50	Microsemi Corporation	Description: RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX Packaging: Bulk Package / Case: 55HX Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12dB ~ 14.5dB Power - Max: 320W Current - Collector (Ic) (Max): 30A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 110V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 1.5MHz ~ 30MHz Supplier Device Package: 55HX Part Status: Obsolete	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

S200-50

Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
Packaging: Bulk
Package / Case: 55HX
Mounting Type: Chassis Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12dB ~ 14.5dB
Power - Max: 320W
Current - Collector (Ic) (Max): 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 110V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 1.5MHz ~ 30MHz
Supplier Device Package: 55HX
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.