S200-50


10768-s200-50reva-datasheet
Виробник:

на замовлення 50 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис S200-50

Description: RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX, Package / Case: 55HX, Packaging: Bulk, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 55HX, Frequency - Transition: 1.5MHz ~ 30MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 110V, Current - Collector (Ic) (Max): 30A, Power - Max: 320W, Gain: 12dB ~ 14.5dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Chassis Mount.

Інші пропозиції S200-50

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
S200-50 Microsemi Corporation 10768-s200-50reva-datasheet Description: RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
Package / Case: 55HX
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55HX
Frequency - Transition: 1.5MHz ~ 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 110V
Current - Collector (Ic) (Max): 30A
Power - Max: 320W
Gain: 12dB ~ 14.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S200-50 10768-s200-50reva-datasheet
Виробник: Microsemi Corporation
Description: RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX
Package / Case: 55HX
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 55HX
Frequency - Transition: 1.5MHz ~ 30MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 110V
Current - Collector (Ic) (Max): 30A
Power - Max: 320W
Gain: 12dB ~ 14.5dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Chassis Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.