Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1012CR-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 240mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm.
Інші пропозиції SI1012CR-T1-GE3 за ціною від 5.04 грн до 34.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 240mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A Version: ESD Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SC75A Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 2nC Power dissipation: 0.15W On-state resistance: 396mΩ Drain current: 0.63A Pulsed drain current: 2A Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V |
на замовлення 109 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 240mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V |
на замовлення 134384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A |
на замовлення 137642 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SI1012CR-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 240mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm |
на замовлення 58647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 240mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 60278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
SI1012CR-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV Verlustleistung: 240mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SI1012CR-T1-GE3 | Vishay BC Components |
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 630 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 10, Qg, нКл = 2, Rds = 396 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-416 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.79 грн |
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.02 грн |
| 6000+ | 6.82 грн |
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.07 грн |
| 6000+ | 6.86 грн |
| 9000+ | 6.80 грн |
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.49 грн |
| 6000+ | 6.55 грн |
| 9000+ | 6.21 грн |
| 15000+ | 5.46 грн |
| 21000+ | 5.25 грн |
| 30000+ | 5.04 грн |
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.15W
On-state resistance: 396mΩ
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2nC
Power dissipation: 0.15W
On-state resistance: 396mΩ
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2A
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 26.13 грн |
| 25+ | 17.15 грн |
| 50+ | 12.64 грн |
| 100+ | 11.30 грн |
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 134384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.41 грн |
| 15+ | 20.18 грн |
| 100+ | 12.80 грн |
| 500+ | 8.99 грн |
| 1000+ | 8.01 грн |
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A
на замовлення 137642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
на замовлення 58647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 60278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1012CR-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay BC Components
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 630 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 10, Qg, нКл = 2, Rds = 396 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-416 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 630 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 10, Qg, нКл = 2, Rds = 396 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-416 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.11 грн |