Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1012CR-T1-GE3
SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1012cr.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+7.30 грн
6000+6.38 грн
9000+6.04 грн
15000+5.32 грн
21000+5.11 грн
30000+4.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, Verlustleistung: 240mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm.

Інші пропозиції SI1012CR-T1-GE3 за ціною від 5.03 грн до 36.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.04 грн
9000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 VISHAY si1012cr.pdf Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 60278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.09 грн
500+9.83 грн
1500+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1012cr.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A
на замовлення 137642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+17.52 грн
28+11.56 грн
100+7.96 грн
500+7.26 грн
1000+7.19 грн
3000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix si1012cr.pdf Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 60053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.99 грн
16+19.67 грн
100+12.47 грн
500+8.75 грн
1000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 SI1012CR-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001142062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
на замовлення 58808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.42 грн
50+22.32 грн
100+14.09 грн
500+9.83 грн
1500+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 Vishay BC Components si1012cr.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 630 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 10, Qg, нКл = 2, Rds = 396 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-416 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 VISH-S-A0001142062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1012CR-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+9.04 грн
9000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 si1012cr.pdf
SI1012CR-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 60278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+14.09 грн
500+9.83 грн
1500+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 si1012cr.pdf
SI1012CR-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A
на замовлення 137642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.52 грн
28+11.56 грн
100+7.96 грн
500+7.26 грн
1000+7.19 грн
3000+5.03 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 si1012cr.pdf
SI1012CR-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 60053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.99 грн
16+19.67 грн
100+12.47 грн
500+8.75 грн
1000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 VISH-S-A0001142062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1012CR-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
Verlustleistung: 240mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
на замовлення 58808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
23+36.42 грн
50+22.32 грн
100+14.09 грн
500+9.83 грн
1500+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012CR-T1-GE3 si1012cr.pdf
Виробник: Vishay BC Components
N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 630 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 43 @ 10, Qg, нКл = 2, Rds = 396 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,24, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-416 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.