Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1012CR-T1-GE3

SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix

Name: SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 4496201-3
Price: 16470 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

на замовлення 54000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.49 грн
6000+	5.08 грн
9000+	4.74 грн
15000+	4.37 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI1012CR-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 630mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI1012CR-T1-GE3 за ціною від 5.46 грн до 20.75 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	5.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.04 грн
6000+	5.87 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.19 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.50 грн
6000+	6.31 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0001142062-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	7.61 грн
9000+	6.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 80813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	10.63 грн
500+	9.32 грн
1500+	8.53 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; Idm: 2A; 0.15W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 396mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
25+	17.01 грн
36+	11.13 грн
50+	8.92 грн
100+	8.21 грн
126+	7.42 грн
345+	7.03 грн
500+	6.71 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 240mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V

на замовлення 55754 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	17.22 грн
29+	11.05 грн
100+	8.65 грн
500+	7.63 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC75A

на замовлення 142479 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	19.01 грн
29+	12.29 грн
100+	8.41 грн
500+	7.88 грн
1000+	7.81 грн
3000+	5.46 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 3239 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	20.41 грн
22+	13.87 грн
50+	10.71 грн
100+	9.85 грн
126+	8.91 грн
345+	8.43 грн
500+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI1012CR-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 630 mA, 0.396 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.396ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 80813 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
41+	20.75 грн
63+	13.60 грн
100+	10.63 грн
500+	9.32 грн
1500+	8.53 грн

Мінімальне замовлення: 41

В кошику од. на суму грн.

SI1012CR-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 20V 0.63A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.