Продукція > VISHAY > SI1012R-T1-E3

SI1012R-T1-E3 VISHAY

Виробник: VISHAY
06+NOP

на замовлення 2885 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI1012R-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SC-75A, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI1012R-T1-E3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SI1012R-T1-E3	Виробник : VISHAY		на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
SI1012R-T1-E3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI1012R-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SI1012R-T1-E3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.