Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1012R-T1-GE3
SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1012rx.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75A
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.97 грн
6000+10.55 грн
9000+10.05 грн
15000+8.90 грн
21000+8.59 грн
30000+8.29 грн
75000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-75A, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA.

Інші пропозиції SI1012R-T1-GE3 за ціною від 10.70 грн до 52.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 133689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+30.74 грн
100+19.76 грн
500+14.09 грн
1000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1012rx.pdf MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+32.31 грн
100+18.16 грн
500+13.81 грн
1000+12.43 грн
3000+11.46 грн
6000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 Vishay si1012rx.pdf N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 133689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.03 грн
10+30.74 грн
100+19.76 грн
500+14.09 грн
1000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012R-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.67 грн
10+32.31 грн
100+18.16 грн
500+13.81 грн
1000+12.43 грн
3000+11.46 грн
6000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
Виробник: Vishay
N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.