SI1012R-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.35A
Power dissipation: 80mW
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 22.78 грн |
| 25+ | 19.01 грн |
| 56+ | 14.5 грн |
| 153+ | 13.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1012R-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm.
Інші пропозиції SI1012R-T1-GE3 за ціною від 7.29 грн до 34.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 80mW Case: SC75A Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2548 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V |
на замовлення 158447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 16988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V |
на замовлення 160925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V |
на замовлення 114988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm |
на замовлення 7182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI1012R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI1012R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R |
товар відсутній |