Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1012R-T1-GE3
SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1012rx.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.21 грн
6000+10.75 грн
9000+10.24 грн
15000+9.08 грн
21000+8.76 грн
30000+8.45 грн
75000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI1012R-T1-GE3 за ціною від 11.64 грн до 57.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay si1012rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
402+36.38 грн
893+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay si1012rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.82 грн
22+36.88 грн
100+16.48 грн
250+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 133689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.05 грн
10+31.34 грн
100+20.14 грн
500+14.36 грн
1000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1012rx.pdf MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+57.28 грн
10+35.14 грн
100+19.74 грн
500+15.01 грн
1000+13.51 грн
3000+12.46 грн
6000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 VISHAY si1012rx.pdf Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 Vishay si1012rx.pdf SI1012R-T1-GE3 N-MOSFET 20V 0.5A TSI1012r
на замовлення 420 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
100+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
402+36.38 грн
893+16.38 грн
Мінімальне замовлення: 402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+52.82 грн
22+36.88 грн
100+16.48 грн
250+15.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 133689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.05 грн
10+31.34 грн
100+20.14 грн
500+14.36 грн
1000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012R-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.28 грн
10+35.14 грн
100+19.74 грн
500+15.01 грн
1000+13.51 грн
3000+12.46 грн
6000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012R-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1012R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 600 mA, 0.41 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
Виробник: Vishay
SI1012R-T1-GE3 N-MOSFET 20V 0.5A TSI1012r
на замовлення 420 шт:
термін постачання 31-60 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.