Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1012R-T1-GE3
SI1012R-T1-GE3

SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1012rx.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75A
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.06 грн
6000+10.63 грн
9000+10.12 грн
15000+8.97 грн
21000+8.65 грн
30000+8.35 грн
75000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-75A, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA.

Інші пропозиції SI1012R-T1-GE3 за ціною від 10.78 грн до 53.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 133689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.42 грн
10+30.96 грн
100+19.90 грн
500+14.19 грн
1000+12.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1012rx.pdf MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.06 грн
10+32.55 грн
100+18.29 грн
500+13.91 грн
1000+12.52 грн
3000+11.54 грн
6000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1012rx.pdf N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012r
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.