SI1012X-T1-GE3 Vishay / Siliconix


si1012rx.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1012X-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI1012X-T1-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1012X-T1-GE3 SI1012X-T1-GE3 Vishay si1012rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3 si1012rx.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.