SI1012X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 9.52 грн |
| 6000+ | 8.7 грн |
| 9000+ | 8.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1012X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI1012X-T1-GE3 за ціною від 8.86 грн до 30.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1012X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1012X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V |
на замовлення 11298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1012X-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 20V 0.6A 175mW 700mohm @ 4.5V |
на замовлення 23238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1012X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI1012X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
SI1012X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.5A 3-Pin SC-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 80mW Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SI1012X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.35A; 0.08W; SC89,SOT563 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.35A Power dissipation: 80mW Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.75nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |