Продукція > VISHAY > SI1013CX-T1-GE3
SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3 Vishay

si1013cx.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1013CX-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI1013CX-T1-GE3 за ціною від 4.09 грн до 31.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1013cx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.42 грн
6000+4.87 грн
9000+4.53 грн
15000+4.25 грн
21000+4.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1013cx.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001110008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.98 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1013cx.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1678+7.29 грн
1902+6.43 грн
2019+6.06 грн
Мінімальне замовлення: 1678
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1013cx.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3
на замовлення 19354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.56 грн
24+14.67 грн
100+7.77 грн
500+6.94 грн
1000+6.79 грн
3000+5.89 грн
6000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1013cx.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Case: SC89; SOT563
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.07 грн
27+14.78 грн
36+11.16 грн
100+8.10 грн
184+5.03 грн
504+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1013cx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 28365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.12 грн
21+15.01 грн
100+7.52 грн
500+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001110008-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+29.12 грн
51+16.76 грн
107+7.91 грн
500+6.98 грн
1000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1013cx.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Case: SC89; SOT563
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.19W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -1.5A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.29 грн
16+18.42 грн
25+13.39 грн
100+9.72 грн
184+6.04 грн
504+5.75 грн
3000+5.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1013cx.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1013cx.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.