
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 4.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1013CX-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI1013CX-T1-GE3 за ціною від 3.93 грн до 35.47 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 190mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW Case: SC89 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.19W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -1.5A Mounting: SMD |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V |
на замовлення 28365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 190mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -450mA; 190mW Case: SC89 Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.19W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2.5nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -1.5A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 3496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |