SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.19 грн |
| 6000+ | 4.67 грн |
| 9000+ | 4.34 грн |
| 15000+ | 4.07 грн |
| 21000+ | 3.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).
Інші пропозиції SI1013CX-T1-GE3 за ціною від 4.87 грн до 29.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 190mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 1124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3 |
на замовлення 19354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 190mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V |
на замовлення 28365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.45A Pulsed drain current: -1.5A Power dissipation: 0.19W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.5nC Technology: TrenchFET® |
на замовлення 95 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 190mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) |
на замовлення 1124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI1013CX-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 450 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 10, Qg, нКл = 2,5, Rds = 760 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,19, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|