Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1013CX-T1-GE3
SI1013CX-T1-GE3

SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1013cx.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.16 грн
6000+4.64 грн
9000+4.31 грн
15000+4.04 грн
21000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026).

Інші пропозиції SI1013CX-T1-GE3 за ціною від 4.83 грн до 29.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 VISHAY si1013cx.pdf Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.44 грн
500+8.15 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 VISHAY si1013cx.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.19W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.90 грн
30+14.13 грн
33+12.63 грн
100+8.56 грн
500+6.98 грн
1000+6.15 грн
3000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1013cx.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3
на замовлення 19354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+22.47 грн
24+13.42 грн
100+7.11 грн
500+6.35 грн
1000+6.21 грн
3000+5.38 грн
6000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013cx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 28365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.28 грн
100+7.16 грн
500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 SI1013CX-T1-GE3 VISHAY si1013cx.pdf Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.64 грн
45+18.12 грн
100+11.44 грн
500+8.15 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013cx.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 450 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 10, Qg, нКл = 2,5, Rds = 760 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,19, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
SI1013CX-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.44 грн
500+8.15 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
SI1013CX-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -0.45A; 0.19W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.45A
Pulsed drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.19W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.5nC
Technology: TrenchFET®
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.90 грн
30+14.13 грн
33+12.63 грн
100+8.56 грн
500+6.98 грн
1000+6.15 грн
3000+5.15 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
SI1013CX-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-3
на замовлення 19354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+22.47 грн
24+13.42 грн
100+7.11 грн
500+6.35 грн
1000+6.21 грн
3000+5.38 грн
6000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
SI1013CX-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 450MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 760mOhm @ 400mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 190mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 10 V
на замовлення 28365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.85 грн
21+14.28 грн
100+7.16 грн
500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
SI1013CX-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1013CX-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 450 mA, 0.63 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.63ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+29.64 грн
45+18.12 грн
100+11.44 грн
500+8.15 грн
1000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013CX-T1-GE3 si1013cx.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 450 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 45 @ 10, Qg, нКл = 2,5, Rds = 760 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,19, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-490 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.