Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1013rx.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.58 грн
6000+11.08 грн
9000+10.56 грн
15000+9.35 грн
21000+9.02 грн
30000+8.71 грн
75000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SC-75A, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI1013R-T1-GE3 за ціною від 10.72 грн до 54.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1013rx.pdf MOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 44440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.37 грн
12+30.11 грн
100+20.90 грн
500+20.83 грн
9000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1013rx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 79680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.69 грн
10+32.31 грн
100+20.76 грн
500+14.80 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1013rx.pdf SI1013R-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.