SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix


si1013rx.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.97 грн
6000+10.54 грн
9000+10.04 грн
15000+8.90 грн
21000+8.59 грн
30000+8.28 грн
75000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: SC-75A, Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI1013R-T1-GE3 за ціною від 9.80 грн до 52.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1013rx.pdf MOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 44440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.59 грн
12+27.55 грн
100+19.12 грн
500+19.05 грн
9000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013rx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 79680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+30.74 грн
100+19.75 грн
500+14.08 грн
1000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 si1013rx.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 44440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.59 грн
12+27.55 грн
100+19.12 грн
500+19.05 грн
9000+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 si1013rx.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 79680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.03 грн
10+30.74 грн
100+19.75 грн
500+14.08 грн
1000+12.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.