Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1013R-T1-GE3
SI1013R-T1-GE3

SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1013rx.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.05 грн
6000+10.62 грн
9000+10.11 грн
15000+8.96 грн
21000+8.65 грн
30000+8.34 грн
75000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Supplier Device Package: SC-75A, Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI1013R-T1-GE3 за ціною від 12.73 грн до 52.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Vishay 71167.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Vishay 71167.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Vishay 71167.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
377+37.44 грн
506+27.89 грн
691+20.42 грн
698+19.50 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Vishay 71167.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.10 грн
20+37.81 грн
25+37.44 грн
100+26.90 грн
250+18.24 грн
500+17.34 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013rx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 79680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.40 грн
10+30.95 грн
100+19.89 грн
500+14.18 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1013rx.pdf MOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 44440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 71167.pdf
SI1013R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 71167.pdf
SI1013R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 71167.pdf
SI1013R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
377+37.44 грн
506+27.89 грн
691+20.42 грн
698+19.50 грн
1000+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 71167.pdf
SI1013R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+44.10 грн
20+37.81 грн
25+37.44 грн
100+26.90 грн
250+18.24 грн
500+17.34 грн
1000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 si1013rx.pdf
SI1013R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 79680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.40 грн
10+30.95 грн
100+19.89 грн
500+14.18 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 si1013rx.pdf
SI1013R-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 44440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.