Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1013X-T1-GE3
SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1013rx.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.61 грн
6000+10.23 грн
9000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI1013X-T1-GE3 за ціною від 8.42 грн до 50.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1013rx.pdf MOSFETs 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 7982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.89 грн
14+23.87 грн
100+16.91 грн
500+13.13 грн
1000+10.74 грн
3000+9.07 грн
9000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1013rx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 13296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.24 грн
11+29.86 грн
100+19.18 грн
500+13.67 грн
1000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3 si1013rx.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1013rx.pdf SI1013X-T1-GE3 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Виробник : Vishay 71167.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.