Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1013X-T1-GE3
SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1013rx.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+11.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI1013X-T1-GE3 за ціною від 9.21 грн до 32.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1013rx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 12730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.78 грн
11+ 26.01 грн
100+ 19.42 грн
500+ 14.32 грн
1000+ 11.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1013rx.pdf MOSFET 20V 350mA 175mW 1.2 ohms @ 4.5V
на замовлення 18225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.95 грн
12+ 27.56 грн
100+ 17.89 грн
500+ 14.09 грн
1000+ 10.95 грн
3000+ 9.95 грн
24000+ 9.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
SI1013X-T1-GE3 si1013rx.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI1013X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1013rx.pdf SI1013X-T1-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Виробник : Vishay 71167.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.35A 3-Pin SC-89 T/R
товар відсутній