Продукція > VISHAY > SI1016CX-T1-GE3
SI1016CX-T1-GE3

SI1016CX-T1-GE3 Vishay

si1016cx.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1016CX-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI1016CX-T1-GE3 за ціною від 7.09 грн до 40.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1016cx.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.37 грн
6000+8.45 грн
9000+7.90 грн
15000+7.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1016cx.pdf Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.02 грн
9000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1016cx.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.28 грн
36000+11.22 грн
72000+10.44 грн
108000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1016cx.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.05 грн
6000+11.95 грн
12000+11.02 грн
15000+9.87 грн
24000+9.04 грн
30000+8.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1016cx.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
853+14.34 грн
859+14.24 грн
981+12.48 грн
1032+11.43 грн
3000+10.12 грн
Мінімальне замовлення: 853
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 33779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.01 грн
500+14.70 грн
1500+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1016cx.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 19301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.65 грн
13+25.23 грн
100+16.79 грн
500+11.41 грн
1000+9.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1016cx.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.49/-0.49A
On-state resistance: 396/756mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.14W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 2/2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2A
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.86 грн
17+23.42 грн
50+16.74 грн
96+9.59 грн
264+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1016cx.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
на замовлення 69006 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.66 грн
13+26.99 грн
100+14.19 грн
500+11.92 грн
1000+9.51 грн
3000+7.24 грн
6000+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1016cx.pdf Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 33649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+38.85 грн
50+32.17 грн
100+22.01 грн
500+14.70 грн
1500+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1016cx.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; complementary pair
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.49/-0.49A
On-state resistance: 396/756mΩ
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.14W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 2/2.5nC
Technology: TrenchFET®
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.63 грн
11+29.19 грн
50+20.09 грн
96+11.51 грн
264+10.94 грн
3000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1016cx.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.