Продукція > VISHAY > SI1016CX-T1-GE3
SI1016CX-T1-GE3

SI1016CX-T1-GE3 Vishay

si1016cx.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1016CX-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI1016CX-T1-GE3 за ціною від 6.83 грн до 37.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1016cx.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.01 грн
6000+8.13 грн
9000+7.59 грн
15000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2046989.pdf Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.56 грн
9000+10.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1016cx.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.22 грн
36000+11.17 грн
72000+10.39 грн
108000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1016cx.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.99 грн
6000+11.90 грн
12000+10.97 грн
15000+9.82 грн
24000+9.00 грн
30000+8.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1016cx.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
853+14.27 грн
859+14.18 грн
981+12.42 грн
1032+11.38 грн
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 853
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 33779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.17 грн
500+14.14 грн
1500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1016cx.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 19301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.40 грн
13+24.26 грн
100+16.15 грн
500+10.98 грн
1000+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1016cx.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-6 N&P PAIR
на замовлення 83822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.23 грн
12+27.96 грн
100+12.05 грн
1000+9.65 грн
3000+7.18 грн
9000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142568-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1016CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.33 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.33ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.33ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 33779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+37.36 грн
50+30.93 грн
100+21.17 грн
500+14.14 грн
1500+10.19 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1016cx.pdf SI1016CX-T1-GE3 Multi channel transistors
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.12 грн
96+11.07 грн
264+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016CX-T1-GE3 SI1016CX-T1-GE3 Виробник : Vishay si1016cx.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.