Продукція > VISHAY > SI1016X-T1-E3

SI1016X-T1-E3 VISHAY


si1016x.pdf Виробник: VISHAY
09+
на замовлення 5808 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1016X-T1-E3 VISHAY

Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F).

Інші пропозиції SI1016X-T1-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1016X-T1-E3 Виробник : VISHAY si1016x.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI1016X-T1-E3 SI1016X-T1-E3 Виробник : Vishay si1016x.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
товар відсутній
SI1016X-T1-E3 SI1016X-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1016x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
товар відсутній
SI1016X-T1-E3 SI1016X-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si1016x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
товар відсутній