SI1016X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.74 грн |
| 6000+ | 10.34 грн |
| 9000+ | 9.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1016X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 250mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції SI1016X-T1-GE3 за ціною від 12.40 грн до 50.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI1016X-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 2349 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI1016X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Part Status: Active |
на замовлення 12628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SI1016X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V |
на замовлення 1547 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1016X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.485A/0.37A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 650+ | 21.71 грн |
| 654+ | 21.59 грн |
| 774+ | 18.23 грн |
| 1000+ | 16.66 грн |
| SI1016X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 12628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.83 грн |
| 11+ | 30.05 грн |
| 100+ | 19.33 грн |
| 500+ | 13.80 грн |
| 1000+ | 12.40 грн |
| SI1016X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V
MOSFETs N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)




