Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1016X-T1-GE3
SI1016X-T1-GE3

SI1016X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1016x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.74 грн
6000+10.35 грн
9000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1016X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 250mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції SI1016X-T1-GE3 за ціною від 8.41 грн до 50.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1016X-T1-GE3 SI1016X-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1016x.pdf MOSFETs N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.18 грн
12+28.15 грн
100+17.04 грн
500+13.28 грн
1000+10.78 грн
3000+9.11 грн
9000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3 SI1016X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1016x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 12628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.85 грн
11+30.06 грн
100+19.34 грн
500+13.80 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1016x.pdf N/P-CH 20V 485MA SC-89-6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.