SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.58 грн |
| 6000+ | 11.21 грн |
| 9000+ | 10.75 грн |
| 15000+ | 9.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SI1021R-T1-GE3 за ціною від 13.03 грн до 52.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1021R-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V |
на замовлення 20539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1021R-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1021R-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1021R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC75A |
на замовлення 18312 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI1021R-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI1021R-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI1021R-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 20539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.58 грн |
| 11+ | 28.47 грн |
| 100+ | 19.40 грн |
| 500+ | 14.32 грн |
| 1000+ | 13.03 грн |
| SI1021R-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 315+ | 44.88 грн |
| 422+ | 33.48 грн |
| 426+ | 33.16 грн |
| 544+ | 25.03 грн |
| 1000+ | 18.90 грн |
| SI1021R-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 52.40 грн |
| 17+ | 45.33 грн |
| 25+ | 44.88 грн |
| 100+ | 32.29 грн |
| 250+ | 29.61 грн |
| 500+ | 22.25 грн |
| 1000+ | 18.14 грн |
| SI1021R-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC75A
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC75A
на замовлення 18312 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI1021R-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1021R-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)