Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1021R-T1-GE3
SI1021R-T1-GE3

SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Si1021R.PDF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.74 грн
6000+11.35 грн
9000+10.89 грн
15000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI1021R-T1-GE3 за ціною від 11.26 грн до 54.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1021R-T1-GE3 SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix Si1021R.PDF Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 20539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.13 грн
11+28.82 грн
100+19.64 грн
500+14.49 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 SI1021R-T1-GE3 Vishay si1021r.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
315+46.48 грн
422+34.68 грн
426+34.35 грн
544+25.92 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 SI1021R-T1-GE3 Vishay Semiconductors Si1021R.PDF MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC75A
на замовлення 18312 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+48.08 грн
10+32.12 грн
100+22.07 грн
500+16.89 грн
1000+14.94 грн
3000+11.49 грн
6000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 SI1021R-T1-GE3 Vishay si1021r.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.27 грн
17+46.95 грн
25+46.48 грн
100+33.44 грн
250+30.67 грн
500+23.04 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 SI1021R-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001121656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 SI1021R-T1-GE3 Vishay si1021r.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 Si1021R.PDF
SI1021R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 20539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+45.13 грн
11+28.82 грн
100+19.64 грн
500+14.49 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 si1021r.pdf
SI1021R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
315+46.48 грн
422+34.68 грн
426+34.35 грн
544+25.92 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 315 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 Si1021R.PDF
SI1021R-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC75A
на замовлення 18312 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.08 грн
10+32.12 грн
100+22.07 грн
500+16.89 грн
1000+14.94 грн
3000+11.49 грн
6000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 si1021r.pdf
SI1021R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+54.27 грн
17+46.95 грн
25+46.48 грн
100+33.44 грн
250+30.67 грн
500+23.04 грн
1000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 VISH-S-A0001121656-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1021R-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1021R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 190 mA, 4 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 si1021r.pdf
SI1021R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.