Продукція > VISHAY > SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3 VISHAY

Name: SI1022R-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 19946674-8
Price: 433.04 UAH
Availability: InStock

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9856CDAEA7B6143&compId=SI1022R.pdf?ci_sign=8ed1fd1f550a04c438d36fadb7f656dd54f15e73

Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

на замовлення 1431 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	54.13 грн
12+	34.49 грн
50+	27.68 грн
63+	14.46 грн
174+	13.69 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI1022R-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI1022R-T1-GE3 за ціною від 11.00 грн до 64.96 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI1022R-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1431 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	64.96 грн
10+	42.98 грн
50+	33.22 грн
63+	17.35 грн
174+	16.42 грн
3000+	15.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.00 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	13.32 грн
6000+	12.64 грн
9000+	12.23 грн
15000+	11.40 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.06 грн
6000+	14.44 грн
9000+	14.15 грн
15000+	13.27 грн
21000+	12.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.64 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : VISHAY

VISH-S-A0001109163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

на замовлення 11725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	32.81 грн
500+	23.89 грн
1500+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 15672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	32.92 грн
12+	26.60 грн
100+	22.12 грн
500+	18.22 грн
1000+	15.43 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A

на замовлення 91572 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	41.14 грн
11+	32.87 грн
100+	23.53 грн
500+	20.27 грн
1000+	17.37 грн
3000+	13.29 грн
9000+	13.21 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
292+	41.79 грн
373+	32.70 грн
500+	24.83 грн
1000+	22.30 грн

Мінімальне замовлення: 292

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 11725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15+	55.96 грн
50+	43.80 грн
100+	32.81 грн
500+	23.89 грн
1500+	17.06 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
50+	13.63 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.