SI1022R-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.24A
Power dissipation: 0.13W
Case: SC75A
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 4180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 21.22 грн |
| 25+ | 17.69 грн |
| 59+ | 12.88 грн |
| 162+ | 12.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1022R-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1.25ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SI1022R-T1-GE3 за ціною від 6.92 грн до 50.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
+1 |
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.24A Power dissipation: 0.13W Case: SC75A Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4180 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 3849000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 2985000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 250mW Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
на замовлення 29117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SC75A |
на замовлення 110570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 330mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SC-75A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.25ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R |
товар відсутній |