Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1022R-T1-GE3
SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1022r.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.98 грн
6000+12.31 грн
9000+11.91 грн
15000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SC-75A, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI1022R-T1-GE3 за ціною від 12.73 грн до 64.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1022r.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 15672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.08 грн
12+25.92 грн
100+21.55 грн
500+17.75 грн
1000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1022r.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A
на замовлення 9446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.17 грн
10+37.11 грн
100+22.32 грн
500+17.18 грн
1000+15.51 грн
3000+14.33 грн
6000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.