SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 12.89 грн |
| 6000+ | 12.22 грн |
| 9000+ | 11.83 грн |
| 15000+ | 11.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: SC-75A, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI1022R-T1-GE3 за ціною від 12.63 грн до 63.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1022R-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 250mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
на замовлення 15672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1022R-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A |
на замовлення 9446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| SI1022R-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 15672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.84 грн |
| 12+ | 25.73 грн |
| 100+ | 21.40 грн |
| 500+ | 17.62 грн |
| 1000+ | 14.93 грн |
| SI1022R-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A
на замовлення 9446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 63.71 грн |
| 10+ | 36.84 грн |
| 100+ | 22.16 грн |
| 500+ | 17.05 грн |
| 1000+ | 15.39 грн |
| 3000+ | 14.22 грн |
| 6000+ | 12.63 грн |
| SI1022R-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 15.75 грн |