Продукція > VISHAY > SI1022R-T1-GE3
SI1022R-T1-GE3
  • SI1022R-T1-GE3
  • SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3 VISHAY


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9856CDAEA7B6143&compId=SI1022R.pdf?ci_sign=8ed1fd1f550a04c438d36fadb7f656dd54f15e73 Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC75A
Gate charge: 0.6nC
Power dissipation: 0.13W
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 3230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+31.63 грн
17+24.77 грн
50+21.20 грн
100+19.53 грн
500+15.96 грн
1000+14.37 грн
1500+13.49 грн
3000+13.42 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1022R-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI1022R-T1-GE3 за ціною від 11.29 грн до 77.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1022R-T1-GE3
+1
SI1022R-T1-GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B9856CDAEA7B6143&compId=SI1022R.pdf?ci_sign=8ed1fd1f550a04c438d36fadb7f656dd54f15e73 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.24A; 0.13W; SC75A; ESD
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SC75A
Gate charge: 0.6nC
Power dissipation: 0.13W
Drain current: 0.24A
On-state resistance: 1.25Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.96 грн
10+30.86 грн
50+25.43 грн
100+23.43 грн
500+19.15 грн
1000+17.24 грн
1500+16.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay 71331.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1022r.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.68 грн
6000+12.98 грн
9000+12.55 грн
15000+11.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.46 грн
6000+14.83 грн
9000+14.53 грн
15000+13.62 грн
21000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1022r.pdf Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.00 грн
500+24.05 грн
1500+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1022r.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 15672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.80 грн
12+27.31 грн
100+22.71 грн
500+18.71 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
292+42.90 грн
373+33.57 грн
500+25.49 грн
1000+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 292
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1022r.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A
на замовлення 9446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.33 грн
10+40.66 грн
100+24.46 грн
500+18.82 грн
1000+16.99 грн
3000+15.70 грн
6000+13.95 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1022r.pdf Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.71 грн
50+48.30 грн
100+33.00 грн
500+24.05 грн
1500+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.