Продукція > VISHAY > SI1022R-T1-GE3
SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3 Vishay

si1022r.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2985000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1022R-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI1022R-T1-GE3 за ціною від 7.21 грн до 76.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3849000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay 71331.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1022r.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.88 грн
6000+12.22 грн
9000+11.82 грн
15000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2050107.pdf Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
538+22.66 грн
540+22.55 грн
604+20.17 грн
1000+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 538
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001109163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.76 грн
500+19.44 грн
1500+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1022r.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 16270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.04 грн
11+28.85 грн
100+22.12 грн
500+17.62 грн
1000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001109163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 12705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+54.82 грн
50+36.79 грн
100+25.76 грн
500+19.44 грн
1500+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1022r.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A
на замовлення 99168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.26 грн
10+37.88 грн
100+22.46 грн
500+17.44 грн
1000+15.00 грн
3000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+13.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1022r.pdf SI1022R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 1906 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+76.12 грн
64+16.59 грн
174+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.