Продукція > VISHAY > SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3 Vishay

Name: SI1022R-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 509525-7
Price: 33540 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	11.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SI1022R-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI1022R-T1-GE3 за ціною від 11.59 грн до 80.05 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	13.54 грн
6000+	12.85 грн
9000+	12.43 грн
15000+	11.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	15.13 грн
6000+	14.51 грн
9000+	14.22 грн
15000+	13.33 грн
21000+	12.22 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	18.14 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : VISHAY

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 11130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	26.75 грн
500+	20.75 грн
1500+	16.33 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V

на замовлення 15672 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	33.47 грн
12+	27.04 грн
100+	22.49 грн
500+	18.52 грн
1000+	15.69 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : VISHAY

на замовлення 11130 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
22+	38.60 грн
50+	32.17 грн
100+	26.75 грн
500+	20.75 грн
1500+	16.33 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

на замовлення 2990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
292+	41.99 грн
373+	32.86 грн
500+	24.95 грн
1000+	22.41 грн

Мінімальне замовлення: 292

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay Semiconductors

MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A

на замовлення 87731 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
9+	43.14 грн
11+	33.41 грн
100+	22.34 грн
500+	18.64 грн
1000+	16.75 грн
3000+	12.83 грн
6000+	12.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
40+	14.08 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : VISHAY

SI1022R-T1-GE3 SMD N channel transistors

на замовлення 1906 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	80.05 грн
64+	17.45 грн
174+	16.51 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI1022R-T1-GE3

Виробник : Vishay

Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.