Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1022R-T1-GE3
SI1022R-T1-GE3

SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1022r.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.98 грн
6000+12.31 грн
9000+11.91 грн
15000+11.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 330mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI1022R-T1-GE3 за ціною від 14.10 грн до 48.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.46 грн
6000+16.75 грн
9000+16.41 грн
15000+15.39 грн
21000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1022r.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 15672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.06 грн
12+25.91 грн
100+21.55 грн
500+17.75 грн
1000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+48.45 грн
373+37.91 грн
500+28.79 грн
1000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1022r.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A
на замовлення 9446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 VISHAY si1022r.pdf Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 VISHAY si1022r.pdf Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 Vishay si1022r.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 si1022r.pdf
SI1022R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.46 грн
6000+16.75 грн
9000+16.41 грн
15000+15.39 грн
21000+14.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 si1022r.pdf
SI1022R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 si1022r.pdf
SI1022R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 15672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.06 грн
12+25.91 грн
100+21.55 грн
500+17.75 грн
1000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 si1022r.pdf
SI1022R-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
292+48.45 грн
373+37.91 грн
500+28.79 грн
1000+25.86 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 si1022r.pdf
SI1022R-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC75A
на замовлення 9446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 si1022r.pdf
SI1022R-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 si1022r.pdf
SI1022R-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1022R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 330 mA, 1.25 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 330mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 si1022r.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+15.37 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.