SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SI1023CX-T1-GE3 за ціною від 7.65 грн до 32.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 P-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 220mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
на замовлення 59655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
SI1023CX-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6 |
на замовлення 94053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
SI1023CX-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 13304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1023CX-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 3328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI1023CX-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 59655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.85 грн |
| 12+ | 25.76 грн |
| 100+ | 17.56 грн |
| 500+ | 12.36 грн |
| 1000+ | 9.27 грн |
| SI1023CX-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 94053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI1023CX-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1023CX-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1023CX-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 19.15 грн |
| 53+ | 14.25 грн |
| 100+ | 12.72 грн |
| 250+ | 10.82 грн |
| 500+ | 9.48 грн |
| 1000+ | 8.57 грн |
| 3000+ | 7.65 грн |



