Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1023CX-T1-GE3
SI1023CX-T1-GE3

SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1023cx.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.42 грн
9000+7.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI1023CX-T1-GE3 за ціною від 7.73 грн до 46.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1023CX-T1-GE3 SI1023CX-T1-GE3 Vishay Siliconix si1023cx.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 33926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.97 грн
13+24.78 грн
50+18.01 грн
100+14.83 грн
500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3 SI1023CX-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1023cx.pdf MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 81155 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+46.68 грн
16+20.46 грн
100+15.69 грн
500+11.79 грн
3000+8.93 грн
9000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3 SI1023CX-T1-GE3 VISHAY si1023cx.pdf Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3 SI1023CX-T1-GE3 VISHAY si1023cx.pdf Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3 Vishay si1023cx.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+19.84 грн
53+14.76 грн
100+13.17 грн
250+11.21 грн
500+9.82 грн
1000+8.88 грн
3000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3 si1023cx.pdf
SI1023CX-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 756mOhm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 33926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+41.97 грн
13+24.78 грн
50+18.01 грн
100+14.83 грн
500+11.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3 si1023cx.pdf
SI1023CX-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 81155 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+46.68 грн
16+20.46 грн
100+15.69 грн
500+11.79 грн
3000+8.93 грн
9000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3 si1023cx.pdf
SI1023CX-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3 si1023cx.pdf
SI1023CX-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1023CX-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.63 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.63ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.63ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023CX-T1-GE3 si1023cx.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 0.45A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+19.84 грн
53+14.76 грн
100+13.17 грн
250+11.21 грн
500+9.82 грн
1000+8.88 грн
3000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.