SI1023X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1023X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min), Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F).
Інші пропозиції SI1023X-T1-GE3 за ціною від 10.75 грн до 31.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1023X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V |
на замовлення 45117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI1023X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -390mA; 280mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -390mA Pulsed drain current: -0.65A Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
SI1023X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 0.37A 6-Pin SC-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SI1023X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; -20V; -390mA; 280mW Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -390mA Pulsed drain current: -0.65A Power dissipation: 0.28W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 2.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |