Продукція > VISHAY > SI1024X-T1-GE3
SI1024X-T1-GE3

SI1024X-T1-GE3 Vishay

71170.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1024X-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F).

Інші пропозиції SI1024X-T1-GE3 за ціною від 9.82 грн до 61.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1024x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.86 грн
6000+11.34 грн
9000+11.30 грн
15000+10.47 грн
21000+10.12 грн
30000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1024x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 52764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.53 грн
10+35.17 грн
100+22.76 грн
500+16.32 грн
1000+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1024x.pdf MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V
на замовлення 248457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.97 грн
10+37.95 грн
100+21.41 грн
500+16.38 грн
1000+14.78 грн
3000+11.89 грн
6000+11.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1024x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.515A; 0.28W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.515A
Pulsed drain current: 0.65A
Power dissipation: 0.28W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 1.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.75nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.