SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.28 грн |
| 6000+ | 10.78 грн |
| 9000+ | 10.74 грн |
| 15000+ | 9.95 грн |
| 21000+ | 9.62 грн |
| 30000+ | 9.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 250mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA.
Інші пропозиції SI1024X-T1-GE3 за ціною від 13.75 грн до 55.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1024X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) |
на замовлення 52764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SI1024X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V |
на замовлення 248457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1024X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 52764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.65 грн |
| 10+ | 33.44 грн |
| 100+ | 21.64 грн |
| 500+ | 15.52 грн |
| 1000+ | 13.75 грн |
| SI1024X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V
MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V
на замовлення 248457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)