Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1024X-T1-GE3
SI1024X-T1-GE3

SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1024x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.52 грн
6000+11.01 грн
9000+10.97 грн
15000+10.17 грн
21000+9.82 грн
30000+9.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 250mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA.

Інші пропозиції SI1024X-T1-GE3 за ціною від 14.05 грн до 59.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 Vishay 71170.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 Vishay 71170.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+47.48 грн
362+39.02 грн
384+36.79 грн
500+31.66 грн
1000+25.04 грн
3000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1024x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 52764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.83 грн
10+34.15 грн
100+22.10 грн
500+15.85 грн
1000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 Vishay 71170.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.70 грн
16+49.63 грн
25+47.48 грн
100+37.63 грн
250+32.84 грн
500+28.14 грн
1000+24.04 грн
3000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1024x.pdf MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V
на замовлення 248457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 71170.pdf
SI1024X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 71170.pdf
SI1024X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
298+47.48 грн
362+39.02 грн
384+36.79 грн
500+31.66 грн
1000+25.04 грн
3000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 si1024x.pdf
SI1024X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 52764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.83 грн
10+34.15 грн
100+22.10 грн
500+15.85 грн
1000+14.05 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 71170.pdf
SI1024X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.485A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+59.70 грн
16+49.63 грн
25+47.48 грн
100+37.63 грн
250+32.84 грн
500+28.14 грн
1000+24.04 грн
3000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 si1024x.pdf
SI1024X-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 700 mohms @ 4.5V
на замовлення 248457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.