Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1025X-T1-GE3
SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1025x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.25 грн
6000+11.19 грн
9000+10.62 грн
15000+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції SI1025X-T1-GE3 за ціною від 13.64 грн до 56.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay si1025x.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay si1025x.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
366+38.80 грн
465+30.49 грн
470+30.18 грн
610+22.42 грн
1000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay si1025x.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+47.15 грн
19+40.99 грн
25+38.80 грн
100+29.40 грн
250+26.95 грн
500+19.93 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1025x.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.69 грн
10+33.88 грн
100+20.96 грн
500+15.63 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1025x.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC89-6
на замовлення 37299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 VISHAY VISHS97344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1025x.pdf 2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 23 @ 25, Qg, нКл = 1,7 @ 15, Rds = 4 Ом, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-666 Очікується: 20 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
SI1025X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
SI1025X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
366+38.80 грн
465+30.49 грн
470+30.18 грн
610+22.42 грн
1000+16.94 грн
Мінімальне замовлення: 366 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
SI1025X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 60V 0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 1852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+47.15 грн
19+40.99 грн
25+38.80 грн
100+29.40 грн
250+26.95 грн
500+19.93 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
SI1025X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.69 грн
10+33.88 грн
100+20.96 грн
500+15.63 грн
1000+13.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
SI1025X-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC89-6
на замовлення 37299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 VISHS97344-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1025X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1025X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 190 mA, 190 mA, 4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 190mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 23 @ 25, Qg, нКл = 1,7 @ 15, Rds = 4 Ом, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-666 Очікується: 20 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.