Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1025X-T1-GE3
SI1025X-T1-GE3

SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1025x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.22 грн
6000+11.16 грн
9000+10.60 грн
15000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F).

Інші пропозиції SI1025X-T1-GE3 за ціною від 13.61 грн до 56.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1025x.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.57 грн
10+33.80 грн
100+20.92 грн
500+15.60 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1025x.pdf MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC89-6
на замовлення 37299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1025x.pdf 2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 23 @ 25, Qg, нКл = 1,7 @ 15, Rds = 4 Ом, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-666 Очікується: 20 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
SI1025X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.57 грн
10+33.80 грн
100+20.92 грн
500+15.60 грн
1000+13.61 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
SI1025X-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -60V Vds 20V Vgs SC89-6
на замовлення 37299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
2P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 190 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 23 @ 25, Qg, нКл = 1,7 @ 15, Rds = 4 Ом, Ugs(th) = 3 В, Р, Вт = 0,25, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-666 Очікується: 20 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.