Продукція > VISHAY > SI1026X-T1-GE3
SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-GE3 Vishay

si1026x.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1026X-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F).

Інші пропозиції SI1026X-T1-GE3 за ціною від 9.14 грн до 52.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1026X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1026x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.53 грн
6000+9.30 грн
9000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1026x.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC89-6
на замовлення 40443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.61 грн
11+32.30 грн
100+19.52 грн
500+15.24 грн
1000+12.41 грн
3000+9.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1026x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 292129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.59 грн
10+31.45 грн
100+20.28 грн
500+14.51 грн
1000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1026x.pdf SI1026X-T1-GE3 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.