Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1026X-T1-GE3
SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1026x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.65 грн
6000+9.40 грн
9000+9.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1026X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F).

Інші пропозиції SI1026X-T1-GE3 за ціною від 9.71 грн до 53.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1026X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 Vishay si1026x.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 Vishay si1026x.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1026x.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC89-6
на замовлення 28534 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+51.35 грн
10+34.44 грн
100+20.69 грн
500+15.80 грн
1000+13.39 грн
3000+10.31 грн
6000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1026x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 291944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.16 грн
10+31.79 грн
100+20.50 грн
500+14.67 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 si1026x.pdf
SI1026X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 si1026x.pdf
SI1026X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 si1026x.pdf
SI1026X-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC89-6
на замовлення 28534 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.35 грн
10+34.44 грн
100+20.69 грн
500+15.80 грн
1000+13.39 грн
3000+10.31 грн
6000+9.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 si1026x.pdf
SI1026X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 291944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+53.16 грн
10+31.79 грн
100+20.50 грн
500+14.67 грн
1000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.