Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1026X-T1-GE3
SI1026X-T1-GE3

SI1026X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1026x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.50 грн
6000+9.26 грн
9000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1026X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 250mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI1026X-T1-GE3 за ціною від 8.97 грн до 52.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1026X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1026x.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC89-6
на замовлення 28534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.46 грн
11+31.83 грн
100+19.12 грн
500+14.60 грн
1000+12.38 грн
3000+9.53 грн
6000+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 SI1026X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1026x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 291944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.42 грн
10+31.34 грн
100+20.21 грн
500+14.46 грн
1000+13.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1026X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1026x.pdf MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SC89 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.