Продукція > VISHAY > SI1029X-T1-GE3
SI1029X-T1-GE3

SI1029X-T1-GE3 Vishay

71435.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1029X-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI1029X-T1-GE3 за ціною від 10.23 грн до 58.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1029x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1029x.pdf Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay 71435.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS97345-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.61 грн
500+18.06 грн
1500+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay 71435.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.82 грн
6000+30.11 грн
12000+17.48 грн
15000+16.69 грн
24000+15.31 грн
30000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS97345-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1029X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.23 грн
50+36.92 грн
100+25.61 грн
500+18.06 грн
1500+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1029x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.35 грн
10+33.09 грн
100+21.34 грн
500+15.27 грн
1000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1029x.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
на замовлення 52806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.27 грн
10+35.74 грн
100+20.08 грн
500+15.27 грн
1000+13.75 грн
3000+10.46 грн
6000+10.23 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay 71435.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Виробник : Vishay 71435.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 0.305A/0.19A 6-Pin SC-89 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.