SI1029X-T1-GE3 Vishay Siliconix


si1029x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1029X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 250mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount.

Інші пропозиції SI1029X-T1-GE3 за ціною від 9.25 грн до 52.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1029x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+31.11 грн
100+20.07 грн
500+14.36 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 SI1029X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1029x.pdf MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
на замовлення 52806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+52.67 грн
10+32.31 грн
100+18.16 грн
500+13.81 грн
1000+12.43 грн
3000+9.46 грн
6000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 si1029x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 750nC @ 4.5V, 1700nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30pF @ 25V, 23pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA, 190mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.03 грн
10+31.11 грн
100+20.07 грн
500+14.36 грн
1000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1029X-T1-GE3 si1029x.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 60V Vds 20V Vgs SC89-6 N&P PAIR
на замовлення 52806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+52.67 грн
10+32.31 грн
100+18.16 грн
500+13.81 грн
1000+12.43 грн
3000+9.46 грн
6000+9.25 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.