SI1031R-T1-GE3 Vishay Siliconix


si1031r.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1031R-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 250mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-75A, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V.

Інші пропозиції SI1031R-T1-GE3 за ціною від 7.11 грн до 38.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1031R-T1-GE3 SI1031R-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1031r.pdf MOSFETs 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.75 грн
13+25.40 грн
100+12.63 грн
1000+8.91 грн
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3 SI1031R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1031r.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
11+29.32 грн
100+19.98 грн
500+14.06 грн
1000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3 si1031r.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V
на замовлення 4956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.75 грн
13+25.40 грн
100+12.63 грн
1000+8.91 грн
3000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3 si1031r.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.06 грн
11+29.32 грн
100+19.98 грн
500+14.06 грн
1000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.