Продукція > VISHAY > SI1032R-T1-GE3
SI1032R-T1-GE3

SI1032R-T1-GE3 Vishay

si1032rx.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1032R-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SC-75A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SI1032R-T1-GE3 за ціною від 8.99 грн до 45.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1032rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1032r.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.88 грн
6000+9.84 грн
15000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1032rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1032rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1032r.pdf Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 8711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.52 грн
500+15.69 грн
1500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1032rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+32.09 грн
22+28.05 грн
25+27.52 грн
100+20.19 грн
250+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1032r.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 21689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.11 грн
11+29.82 грн
100+20.32 грн
500+14.30 грн
1000+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1032r.pdf MOSFETs 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V
на замовлення 128153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.21 грн
13+26.72 грн
100+18.74 грн
500+14.39 грн
1000+11.84 грн
3000+9.22 грн
6000+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : VISHAY 2049950.pdf Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.11 грн
30+28.84 грн
100+21.52 грн
500+15.69 грн
1000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1032r.pdf Description: VISHAY - SI1032R-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 140 mA, 5 ohm, SC-75A, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SC-75A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 8711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+40.11 грн
50+28.84 грн
100+21.52 грн
500+15.69 грн
1500+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1032rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1032r.pdf SI1032R-T1-GE3 SMD N channel transistors
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.00 грн
73+15.18 грн
199+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032R-T1-GE3 SI1032R-T1-GE3 Виробник : Vishay si1032rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.14A 3-Pin SC-75A T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.