SI1032X-T1-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 78948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 24.28 грн |
| 18+ | 20.07 грн |
| 100+ | 13.43 грн |
| 500+ | 11.49 грн |
| 1000+ | 10.14 грн |
| 3000+ | 9.25 грн |
| 9000+ | 9.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1032X-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-89, SOT-490, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V.
Інші пропозиції SI1032X-T1-GE3 за ціною від 10.77 грн до 31.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1032X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SI1032X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
SI1032X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.21A; Idm: 0.6A Mounting: SMD Case: SC89; SOT563 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.21A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.34W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.75nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 0.6A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.21A; Idm: 0.6A Mounting: SMD Case: SC89; SOT563 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.21A On-state resistance: 10Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.34W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.75nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 0.6A |
товару немає в наявності |