| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.17 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1032X-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 200, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 5, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI1032X-T1-GE3 за ціною від 14.72 грн до 43.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1032X-T1-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1032X-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1032X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V |
на замовлення 19268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI1032X-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 200 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI1032X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 412+ | 34.41 грн |
| 559+ | 25.36 грн |
| 569+ | 24.93 грн |
| 680+ | 20.10 грн |
| 1000+ | 15.33 грн |
| SI1032X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.42 грн |
| 22+ | 34.76 грн |
| 25+ | 34.41 грн |
| 100+ | 24.46 грн |
| 250+ | 22.26 грн |
| 500+ | 17.87 грн |
| 1000+ | 14.72 грн |
| SI1032X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
на замовлення 19268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI1032X-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)