Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1032X-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 200, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 5, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SI1032X-T1-GE3 за ціною від 10.37 грн до 43.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1032X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V |
на замовлення 2634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1032X-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1032X-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1032X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V |
на замовлення 78948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
SI1032X-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 200 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 5 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
SI1032X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±6V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: SC-89-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-89, SOT-490 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2634 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| SI1032X-T1-GE3 |
|
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SI1032X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 30.29 грн |
| 12+ | 25.05 грн |
| 100+ | 17.41 грн |
| 500+ | 12.76 грн |
| 1000+ | 10.37 грн |
| SI1032X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 412+ | 34.41 грн |
| 559+ | 25.36 грн |
| 569+ | 24.93 грн |
| 680+ | 20.10 грн |
| 1000+ | 15.33 грн |
| SI1032X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 43.42 грн |
| 22+ | 34.76 грн |
| 25+ | 34.41 грн |
| 100+ | 24.46 грн |
| 250+ | 22.26 грн |
| 500+ | 17.87 грн |
| 1000+ | 14.72 грн |
| SI1032X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
на замовлення 78948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SI1032X-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1032X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)