Продукція > VISHAY > SI1032X-T1-GE3
SI1032X-T1-GE3

SI1032X-T1-GE3 Vishay

si1032rx.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1032X-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 200, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 300, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 5, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI1032X-T1-GE3 за ціною від 11.34 грн до 65.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1032X-T1-GE3 SI1032X-T1-GE3 Vishay si1032rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
412+35.48 грн
559+26.15 грн
569+25.70 грн
680+20.73 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3 SI1032X-T1-GE3 Vishay si1032rx.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.77 грн
22+35.84 грн
25+35.48 грн
100+25.22 грн
250+22.95 грн
500+18.42 грн
1000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3 SI1032X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1032rx.pdf MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
на замовлення 19268 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+65.51 грн
10+45.84 грн
100+24.77 грн
500+17.19 грн
1000+15.16 грн
3000+12.91 грн
6000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3 SI1032X-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001468977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3 si1032rx.pdf
SI1032X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
412+35.48 грн
559+26.15 грн
569+25.70 грн
680+20.73 грн
1000+15.81 грн
Мінімальне замовлення: 412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3 si1032rx.pdf
SI1032X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.2A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+44.77 грн
22+35.84 грн
25+35.48 грн
100+25.22 грн
250+22.95 грн
500+18.42 грн
1000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3 si1032rx.pdf
SI1032X-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
на замовлення 19268 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.51 грн
10+45.84 грн
100+24.77 грн
500+17.19 грн
1000+15.16 грн
3000+12.91 грн
6000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3 VISH-S-A0001468977-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1032X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1032X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 200 mA, 5 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 200
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 5
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.