Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI1032X-T1-GE3
SI1032X-T1-GE3

SI1032X-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si1032rx.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V 200mA 340mW 5.0ohm @ 4.5V
на замовлення 78948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.64 грн
18+18.71 грн
100+12.52 грн
500+10.71 грн
1000+9.46 грн
3000+8.62 грн
9000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1032X-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-89-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-89, SOT-490, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI1032X-T1-GE3 за ціною від 10.45 грн до 30.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1032X-T1-GE3 SI1032X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1032rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.51 грн
12+25.24 грн
100+17.54 грн
500+12.85 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3 SI1032X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1032rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 200MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1032X-T1-GE3 si1032rx.pdf
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.