SI1034X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1034X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Power - Max: 250mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SI1034X-T1-GE3 за ціною від 8.70 грн до 51.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1034X-T1-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V |
на замовлення 100505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1034X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) |
на замовлення 5211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SI1034X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V
MOSFETs Dual N-Ch MOSFET 20V 5.0 ohms @ 4.5V
на замовлення 100505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 32.22 грн |
| 12+ | 27.94 грн |
| 100+ | 18.09 грн |
| 500+ | 14.22 грн |
| 1000+ | 10.98 грн |
| 3000+ | 10.01 грн |
| 9000+ | 8.70 грн |
| SI1034X-T1-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.18A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 5211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.26 грн |
| 10+ | 30.74 грн |
| 100+ | 19.74 грн |
| 500+ | 14.08 грн |
| 1000+ | 12.65 грн |