Продукція > VISHAY > SI1036X-T1-GE3
SI1036X-T1-GE3

SI1036X-T1-GE3 Vishay

si1036x.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1036X-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 610mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SI1036X-T1-GE3 за ціною від 6.27 грн до 42.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1036x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001108872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+14.44 грн
500+12.22 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1036x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.61A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+29.06 грн
17+23.49 грн
20+20.87 грн
100+12.14 грн
141+6.59 грн
389+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix si1036x.pdf MOSFETs 30V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 50453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+33.60 грн
14+25.32 грн
100+11.89 грн
500+10.51 грн
1000+9.45 грн
3000+7.69 грн
9000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1036x.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 0.61A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.61A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.87 грн
11+29.27 грн
12+25.05 грн
100+14.57 грн
141+7.90 грн
389+7.52 грн
6000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
354+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 354
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001108872-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+35.13 грн
32+27.26 грн
100+14.44 грн
500+12.22 грн
1000+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+35.64 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+37.71 грн
9000+37.34 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1036x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 220mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-6
Part Status: Active
на замовлення 6689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.03 грн
13+24.76 грн
100+15.76 грн
500+11.14 грн
1000+9.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.