на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1036X-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 610mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI1036X-T1-GE3 за ціною від 5.86 грн до 40.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1036X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1036X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1036X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 610mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1036X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A Case: SC89; SOT563 Drain-source voltage: 30V Drain current: 610mA On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.22W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 2A Mounting: SMD |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1036X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm Verlustleistung, p-Kanal: 220mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 220mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI1036X-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 30V Vds 8V Vgs SC89-6 |
на замовлення 50936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1036X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 610mA; Idm: 2A Case: SC89; SOT563 Drain-source voltage: 30V Drain current: 610mA On-state resistance: 1.1Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.22W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 2nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 2A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1977 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1036X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 220mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-6 Part Status: Active |
на замовлення 6689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI1036X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R |
товару немає в наявності |