Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1036X-T1-GE3
SI1036X-T1-GE3

SI1036X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1036x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.54 грн
14+21.84 грн
100+13.90 грн
500+9.82 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1036X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 610mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 220mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 220mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції SI1036X-T1-GE3 за ціною від 39.82 грн до 40.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
354+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+40.22 грн
9000+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Vishay si1036x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Vishay / Siliconix si1036x.pdf MOSFETs 30V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 49079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 VISHAY si1036x.pdf Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 VISHAY si1036x.pdf Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 SI1036X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1036x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
354+39.95 грн
Мінімальне замовлення: 354 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+40.22 грн
9000+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 0.61A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6000+40.74 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 30V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 49079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1036X-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 610 mA, 610 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 610mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 610mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 610mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.45ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 220mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 220mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1036X-T1-GE3 si1036x.pdf
SI1036X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.61A SC89-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 610mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 220mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1950 шт
В кошику  од. на суму  грн.