SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.06 грн |
| 6000+ | 11.52 грн |
| 9000+ | 10.99 грн |
| 15000+ | 9.75 грн |
| 21000+ | 9.41 грн |
| 30000+ | 9.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 236mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V.
Інші пропозиції SI1050X-T1-GE3 за ціною від 9.81 грн до 55.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1050X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SC89-6 |
на замовлення 5192 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1050X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V |
на замовлення 34821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|