Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1050X-T1-GE3
SI1050X-T1-GE3

SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1050x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.21 грн
6000+11.66 грн
9000+11.12 грн
15000+9.87 грн
21000+9.53 грн
30000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.086 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV, Verlustleistung: 236mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm.

Інші пропозиції SI1050X-T1-GE3 за ціною від 13.36 грн до 71.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Vishay downloaded_file_396.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Vishay downloaded_file_396.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1050x.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 34821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.22 грн
10+33.55 грн
100+21.63 грн
500+15.48 грн
1000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1050x.pdf MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SC89-6
на замовлення 175 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
5+71.56 грн
10+50.42 грн
100+27.33 грн
500+18.84 грн
1000+16.74 грн
3000+14.19 грн
6000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001122319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.086 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
Verlustleistung: 236mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0001122319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.086 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
Verlustleistung: 236mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 downloaded_file_396.pdf
SI1050X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 downloaded_file_396.pdf
SI1050X-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 si1050x.pdf
SI1050X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 34821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+56.22 грн
10+33.55 грн
100+21.63 грн
500+15.48 грн
1000+13.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 si1050x.pdf
SI1050X-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SC89-6
на замовлення 175 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.56 грн
10+50.42 грн
100+27.33 грн
500+18.84 грн
1000+16.74 грн
3000+14.19 грн
6000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 VISH-S-A0001122319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1050X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.086 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
Verlustleistung: 236mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 VISH-S-A0001122319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI1050X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.086 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV
Verlustleistung: 236mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.086ohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.