Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1050X-T1-GE3
SI1050X-T1-GE3

SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1050x.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.86 грн
6000+ 11.59 грн
15000+ 10.79 грн
30000+ 9.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 236mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V.

Інші пропозиції SI1050X-T1-GE3 за ціною від 10.43 грн до 40.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1050x.pdf MOSFET 8V Vds 5V Vgs SC89-6
на замовлення 5917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.42 грн
10+ 31.09 грн
100+ 20.26 грн
500+ 15.94 грн
1000+ 12.29 грн
3000+ 11.16 грн
6000+ 10.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1050x.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 58940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+36.65 грн
10+ 29.96 грн
100+ 22.38 грн
500+ 16.5 грн
1000+ 12.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1050x.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+36.68 грн
19+ 31.25 грн
Мінімальне замовлення: 16
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001122319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 8
Dauer-Drainstrom Id: 1.34
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 236
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350
Verlustleistung: 236
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.12
Rds(on)-Prüfspannung: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+40.16 грн
23+ 33.83 грн
100+ 22.73 грн
500+ 16.61 грн
1000+ 12.14 грн
5000+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 19
SI1050X-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001122319-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 236
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12
Qualifikation: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 16325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.73 грн
500+ 16.61 грн
1000+ 12.14 грн
5000+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI1050X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1050x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 236mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 6A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1050x.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
товар відсутній
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1050x.pdf Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R
товар відсутній
SI1050X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1050x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A
Mounting: SMD
Case: SC89; SOT563
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 236mW
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.6nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 6A
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній