на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1050X-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 8V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SI1050X-T1-GE3 за ціною від 9.25 грн до 56.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI1050X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1050X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1050X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 8V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 350mV euEccn: NLR Verlustleistung: 236mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 1.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1050X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 8V Vds 5V Vgs SC89-6 |
на замовлення 5660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1050X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V |
на замовлення 34821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1050X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 8 V, 1.34 A, 0.12 ohm, SC-89, Oberflächenmontage Verlustleistung: 236 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 16325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SI1050X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SI1050X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A Drain-source voltage: 8V Drain current: 1.34A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 236mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11.6nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: SC89; SOT563 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
SI1050X-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 8V 1.34A 6-Pin SC-89 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| SI1050X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 8V; 1.34A; Idm: 6A Drain-source voltage: 8V Drain current: 1.34A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 236mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 11.6nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±5V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: SC89; SOT563 |
товару немає в наявності |