Продукція > VISHAY > SI1062X-T1-GE3
SI1062X-T1-GE3

SI1062X-T1-GE3 Vishay


si1062x.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 0.53A 3-Pin SC-89 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1062X-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.35 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SI1062X-T1-GE3 за ціною від 3.57 грн до 24.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1062x.pdf Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.83 грн
6000+4.36 грн
9000+4.00 грн
15000+3.73 грн
21000+3.72 грн
30000+3.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1062x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.7nC
Technology: TrenchFET®
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.60 грн
33+12.28 грн
50+8.93 грн
100+7.88 грн
189+5.01 грн
518+4.73 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1062x.pdf Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 64261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.70 грн
26+12.68 грн
100+6.79 грн
500+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors si1062x.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-3
на замовлення 28782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+22.50 грн
25+14.35 грн
100+6.66 грн
500+6.58 грн
1000+6.43 грн
3000+4.52 грн
6000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1062x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.7nC
Technology: TrenchFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.73 грн
20+15.30 грн
50+10.71 грн
100+9.45 грн
189+6.01 грн
518+5.67 грн
9000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001142572-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.35 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+24.73 грн
50+17.60 грн
100+10.47 грн
500+6.93 грн
1500+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.