Продукція > VISHAY SILICONIX > SI1062X-T1-GE3
SI1062X-T1-GE3

SI1062X-T1-GE3 Vishay Siliconix

si1062x.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 186000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.59 грн
6000+4.86 грн
9000+4.60 грн
15000+4.04 грн
21000+3.87 грн
30000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1062X-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 220mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm.

Інші пропозиції SI1062X-T1-GE3 за ціною від 4.49 грн до 30.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 VISHAY si1062x.pdf Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 220mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.68 грн
500+8.08 грн
1500+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1062x.pdf Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 188477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.41 грн
20+15.48 грн
100+9.72 грн
500+6.78 грн
1000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1062x.pdf MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-3
на замовлення 43660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.98 грн
20+16.67 грн
100+9.11 грн
500+6.77 грн
1000+6.01 грн
3000+4.97 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 SI1062X-T1-GE3 VISHAY si1062x.pdf Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 220mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.44 грн
50+18.60 грн
100+11.68 грн
500+8.08 грн
1500+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 VISHAY si1062x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.7nC
Technology: TrenchFET®
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
26+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
SI1062X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 220mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.68 грн
500+8.08 грн
1500+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
SI1062X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
на замовлення 188477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.41 грн
20+15.48 грн
100+9.72 грн
500+6.78 грн
1000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
SI1062X-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-3
на замовлення 43660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.98 грн
20+16.67 грн
100+9.11 грн
500+6.77 грн
1000+6.01 грн
3000+4.97 грн
6000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
SI1062X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 220mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm
на замовлення 9545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+30.44 грн
50+18.60 грн
100+11.68 грн
500+8.08 грн
1500+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1062X-T1-GE3 si1062x.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.53A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.22W
Case: SC89; SOT563
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 762mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 2.7nC
Technology: TrenchFET®
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.06 грн
26+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.