SI1062X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 220mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.63 грн |
| 6000+ | 4.90 грн |
| 9000+ | 4.63 грн |
| 15000+ | 4.07 грн |
| 21000+ | 3.90 грн |
| 30000+ | 3.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI1062X-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 220mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SI1062X-T1-GE3 за ціною від 3.89 грн до 34.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI1062X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1062X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 20V Vds 8V Vgs SC89-3 |
на замовлення 28482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SI1062X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 0.53A; Idm: 2A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.53A Pulsed drain current: 2A Power dissipation: 0.22W Case: SC89; SOT563 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 762mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.7nC Technology: TrenchFET® |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1062X-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V SC89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-89, SOT-490 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 500mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 220mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V |
на замовлення 188477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI1062X-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SI1062X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 530 mA, 0.42 ohm, SC-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 530mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 220mW Bauform - Transistor: SC-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.42ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|