Продукція > VISHAY > SI1070X-T1-GE3
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3 VISHAY

si1070x.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+18.93 грн
500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1070X-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236mW, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 12V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SI1070X-T1-GE3 за ціною від 10.77 грн до 48.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 VISHAY si1070x.pdf Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.12 грн
32+25.77 грн
100+18.93 грн
500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 Vishay Semiconductors si1070x.pdf MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.97 грн
11+29.69 грн
100+18.16 грн
500+14.36 грн
1000+12.50 грн
3000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3 si1070x.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3 si1070x.pdf
SI1070X-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.099 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236mW
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+42.12 грн
32+25.77 грн
100+18.93 грн
500+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3 si1070x.pdf
SI1070X-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SC89-6
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.97 грн
11+29.69 грн
100+18.16 грн
500+14.36 грн
1000+12.50 грн
3000+10.77 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1070X-T1-GE3 si1070x.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.