Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI1070X-T1-GE3
SI1070X-T1-GE3

SI1070X-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si1070x.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 12V Vgs SC89-6
на замовлення 3093 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.53 грн
13+ 24.98 грн
100+ 15.94 грн
500+ 12.89 грн
1000+ 11.03 грн
9000+ 10.03 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1070X-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 1.2, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 236, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55, euEccn: NLR, Verlustleistung: 236, Bauform - Transistor: SC-89, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: Trench, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082, Rds(on)-Prüfspannung: 12, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SI1070X-T1-GE3 за ціною від 10.85 грн до 33.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1070x.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.33 грн
11+ 26.22 грн
100+ 18.23 грн
500+ 13.35 грн
1000+ 10.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISHS97137-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 1.2
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 236
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55
euEccn: NLR
Verlustleistung: 236
Bauform - Transistor: SC-89
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: Trench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082
Rds(on)-Prüfspannung: 12
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+33.9 грн
26+ 28.84 грн
100+ 21.61 грн
500+ 15.78 грн
1000+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 22
SI1070X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1070x.pdf Description: VISHAY - SI1070X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 1.2 A, 0.082 ohm, SC-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 236
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.082
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.61 грн
500+ 15.78 грн
1000+ 11.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
SI1070X-T1-GE3 si1070x.pdf
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 Виробник : Vishay si1070x.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 1.2A 6-Pin SC-89 T/R
товар відсутній
SI1070X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1070x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A
Power dissipation: 236mW
Kind of package: reel; tape
Case: SC89; SOT563
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI1070X-T1-GE3 SI1070X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1070x.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 1.2A SC89-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 1.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 385 pF @ 15 V
товар відсутній
SI1070X-T1-GE3 Виробник : VISHAY si1070x.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 1.2A; Idm: 6A
Power dissipation: 236mW
Kind of package: reel; tape
Case: SC89; SOT563
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.14Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.3nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 6A
товар відсутній