Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SI1077X-T1-GE3
SI1077X-T1-GE3

SI1077X-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si1077x.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SC89-6
на замовлення 20874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.32 грн
15+22.55 грн
100+11.20 грн
500+10.78 грн
1000+9.74 грн
3000+8.41 грн
6000+7.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI1077X-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±8V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 330mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SI1077X-T1-GE3 за ціною від 9.85 грн до 35.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1077X-T1-GE3 SI1077X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1077x.pdf Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.20 грн
14+23.13 грн
100+13.30 грн
500+11.00 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1077X-T1-GE3 SI1077X-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix si1077x.pdf Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.