| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.07 грн |
| 15+ | 22.39 грн |
| 100+ | 11.11 грн |
| 500+ | 10.70 грн |
| 1000+ | 9.66 грн |
| 3000+ | 8.35 грн |
| 6000+ | 7.80 грн |
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Технічний опис SI1077X-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 330mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 330mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm.
Інші пропозиції SI1077X-T1-GE3 за ціною від 9.78 грн до 56.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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SI1077X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 330mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V |
на замовлення 4304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SI1077X-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SI1077X-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 330mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-563 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI1077X-T1-GE3 |
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Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 1.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 330mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31.1 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 965 pF @ 10 V
на замовлення 4304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 34.95 грн |
| 14+ | 22.96 грн |
| 100+ | 13.20 грн |
| 500+ | 10.92 грн |
| 1000+ | 9.78 грн |
| SI1077X-T1-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 56.14 грн |
| SI1077X-T1-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.75A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
Description: VISHAY - SI1077X-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1.75 A, 0.065 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 330mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 330mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.065ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)